譚滿清

2018-01~現在, 中國科學院半導體研究所, 研究員二級

2009-01~現在, 中國科學院半導體研究所, 研究員三級

2001-09~現在, 中國科學院半導體研究所, 研究員四級

1998-08~2001-08,中國科學院半導體研究所, 副研究員

1996-08~1998-07,中國科學院半導體研究所, 博士後

1993-09~1996-07,北京理工大學, 工學博士

1990-09~1993-07,北京師範大學, 理學碩士

1986-07~1990-08,湖南省岳雲中學, 中學物理教師 ^[1] 

在國內率先實現了寬帶寬、高功率超輻射發光二極管模塊及小批量產業化，器件指標達到國際先進水平；開展了電子迴旋共振等離子體化學氣相沉積技術實現光學膜等新型半導體器件工藝的研究，為提高半導體光電子器件工藝水平和器件水平發揮了較好的作用；開展了長波長面發射半導體激光器研究和量子阱TCAD研究，取得了有重要意義的階段成果。

曾獲國家科技進步二等獎一項，中國科學院一等獎一項、二等獎一項。在國內外學術刊物發表論文三十多篇，申請發明專利十項。他主持並完成了863項目等國家項目多項。

他所在的實驗室有國際上較先進的設備，具備很好的各種半導體光電子器件研究和生產所需的研究條件。主要的研究興趣為新型半導體光電子器件的研製和新型半導體器件工藝研究等。

“863”項目：“量子阱TCAD”(1997－2000)

“863”項目：“可調諧長波長垂直腔面發射激光器”(2001－2004)

Manqing Tan, Yongchang Lin， Study of reflection filter with high reflectivity and narrow bandwidth，Appl. Opt. Vol36(4): 827 – 830，1997,2

譚滿清，林永昌，過渡金屬超薄膜的光學性質及其應用”， 中國激光，Vol. A24(4):323 -326，1997,4

譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積R＜10-4的1310nm光電子器件增透膜技術的研究，光學學報, ,19(2): 235-238， 1999,2

譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積980nm大功率半導體激光器端面光學膜技術”, 中國激光, Vol.A26(9) ，1999,9

譚滿清，茅冬生，InP襯底表面的H2/N2等離子清潔技術，半導體學報, Vol 20(10) ，1999/10

譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積808nm大功率半導體激光器光學膜工藝研究”，半導體學報, Vol20(7):589- 592, 1999 /7

Manqing Tan, Yongchang Lin ，Design Method of reflection filter, Optical Interference Coatings, Optical Society of America, Loews Van- tana Canyon Re sort, Tucson, Arizona, Vol.9, 308-309, June 1998

D. Mao, M. Tan, L. Chen ，Application of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semi- conductor photoelectronic devices，Proceedings of SPIE, China,Vol.3547,315-318 ，Sept. 1998

譚滿清,茅冬生，GaAs表面清洗技術，中國專利, 98124973.6,申請日: 1998年11月25日，1998

譚滿清,茅冬生，InP表面清洗技術，中國專利, 99100810.3,申請日: 1999年2月14日, 1999

郭良等，排名第6位，“670nm半導體量子阱激光器批量生產“，獲國家科技進步二等獎，中國科學院科技進步一等獎，2000

肖建偉等，排名第7位，高功率激光二極管列陣，中國科學院科技進步二等獎，2001