胡鳳霞

1985年河北師範大學物理系本科畢業，1991年7月在首都師範大學獲碩士學位，2002年在中國科學院物理研究所獲理學博士學位。2002-2006年在香港大學物理系做博士後。2006年作為“小百人”到中國科學院物理研究所磁學國家重點實驗室工作，2008年晉升為研究員，現任課題組長。 ^[1] 

（1）磁性材料相變調控：磁熱、壓熱和耦合熱效應機理研究

（2）氧化物自旋電子學：複雜氧化物界面軌道和自旋調控研究 ^[2] 

(1)發現了新型 La(Fe,Si)13 基大磁熱效應材料並獲得了核心發明專利，闡明瞭巨大磁熱效應源自晶格負熱膨脹和巡遊電子變磁轉變行為，單篇論文最高引用 1050 餘次，是國際上80 多年來有關磁熱效應論文被引用次數最高的7 篇論文之一。自發現以來，國內外已有200 多個實驗室跟隨研究，該材料目前已成為國際上公認的最具應用前景的新型磁製冷材料。

(2)利用應變記憶效應成功實現了FeRh巨磁熱薄膜滯後損耗的非易失性調控、解決了磁製冷樣機設計中遇到的雙場循環的瓶頸問題。

(3)利用非公度螺旋磁結構引入的晶格畸變和織構效應在MnFeNiGe材料體系實現了遠大於晶格本徵貢獻的超大負熱膨脹(NTE)，為探索NTE材料提供了新策略。

(4)首次在複雜氧化物中成功實現了B位陽離子和氧離子協同遷移驅動的連續拓撲相變，其誘發的B位離子3d電子軌道佔據和自旋態重構導致磁電性質發生顯著改變，為拓展離子介導的拓撲相變的綜合應用提供了新途徑。

在J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., Nano energy, Mater. Horiz., Acta Mater., Chem. Mater., Phys.Rev.Lett./Phys.Rev.B, Appl.Phys.Lett./APL mater.等刊物發表論文160餘篇，他人引用5600餘次，第一作者單篇最高引用1050餘次。獲授權發明專利30餘項（含美、日、歐4項國際專利授權）。 ^[2] 

獲2012年度國家自然科學二等獎和2010年度北京市科學技術獎一等獎。 ^[1]  2014年度陳嘉庚技術科學獎。 ^[2] 

（1）研究磁晶耦合體系自旋序、晶格序等關聯量子序演變對磁熱、壓熱、彈熱以及耦合熱效應的影響機制，相變調控和反常熱膨脹，尋找多場調控增強熱效應途徑，探索發展新型高效全固態製冷器件。

（2）通過選擇性強化特定自由度間的關聯, 研究強量子限域下複雜氧化物自旋基態、激發態和輸運動力學行為以及界面電荷/自旋/軌道重構等量子演生現象，並研究其對外場的響應規律。

正在承擔：國家自然科學基金委重點項目2項、面上項目1項；國家重點基礎研究發展計劃(973) 2項；科學院前沿課題及國際合作項目。 ^[2]