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羽葉薰衣草
鎖定
羽葉薰衣草形態特徵
花莖長,花穗約10釐米,紫紅色;小花上唇較大,花穗的基部再長一對分枝花穗而呈三又狀。深紫色管狀小花有深色紋路,具2唇瓣,上唇比下唇發達。香味類似於天竺葵和迷迭香的混合型,較濃,但雜味很重。葉香,花無香味。一年四季開花,但主要花期集中在11月到第二年5-6月,夏季過熱時停花休眠。
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羽葉薰衣草近種區別
羽葉薰衣草和多裂薰衣草很相似,其主要的區別在於,羽葉薰衣草的植株較直立適合盆栽,葉片的絨毛較短,2回羽狀葉不明顯;多裂薰衣草植株斜向上偏生,適合庭院美化栽培,葉片絨毛很長,2回羽狀葉很明顯。
羽葉薰衣草產地生境
羽葉薰衣草原產於加那利羣島。在全世界各地普遍栽培。為全日照植物,日照須好,廕庇處生長不良。但夏天必須遮陰。生性強健,較為耐熱,排水、半耐寒,喜通風良好,栽培基質以富含有機質的砂質壤土為佳。
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羽葉薰衣草繁殖方法
羽葉薰衣草播種繁殖
①將待種植土壤上深挖15釐米,將挖出的土壤與腐葉土、河沙混勻後,全部回填;其中所述的土壤與腐葉土、河沙的體積比為5:3:1。所述的腐葉土是由闊葉樹林的葉片落地後經過雨濕腐爛分解而成的。所述的河沙為顆粒直徑0.5毫米的河沙;②回填後,在待種植土壤上每畝撒五氯硝基苯41千克,然後將表層5釐米上壤混勻耙平,防止碎倒病和立枯病的發生;③在耙平後的土壤上播種羽葉薰衣草種子,播種完畢後,再撒上一層厚度為1毫米的草炭土。
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羽葉薰衣草組織培養
培養條件:以羽葉薰衣草當年生枝條的莖段為外植體。以MS培養基為基本培養基,其中含蔗糖30克/升、瓊脂粉9克/升,pH值5.78-5.8。培養室温度(25±2)℃,光照時間12小時/天,光照強度25-30微摩爾/平方米/秒。
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培養方法:
① 外植體的滅菌處理:將羽葉薰衣草莖段切為2釐米左右的帶節小段,剪去葉片,用稀釋500倍的洗潔精清洗5分鐘,流水沖洗1小時,再用0.1%二氯化汞滅菌。滅菌時給予6-8分鐘的滅菌時間,無菌水洗滌4-5次後,在切口處切去部分與二氯化汞直接接觸的莖的少許,接種於含有0.5毫克/升6-BA和0.1毫克/升NAA的MS培養基上進行初代培養,每瓶接種1個外植體。菌後進行初代培養時,在基本培養基中附加0.5毫克/升的6-BA和0.1毫克/升的NAA,羽葉薰衣草外植體在該培養基中的培養效果良好。
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② 增殖培養:以MS為基本培養基,設計分別含有0.4、0.8、1.2、1.6毫克/升6-BA以及0.05、0.1、0.15、0.2毫克/升NAA的16個組合培養基,將上述無菌初代培養物轉接到這16個培養基上,每瓶1枚,每處理18瓶。觀察叢生苗的誘導與生長情況,42天后統計培養結果。滅菌增殖培養時,在設計的16種不同激素配比的培養基上,獲得的增殖係數為7-19.2,考慮到試驗操作的便捷性以及叢生苗的茁壯性,認為在繼代增殖時,採用附加0.8毫克/升6-BA和0.10毫克/升NAA的MS培養基較為合適,此時增殖係數為11.3,而不是採用增殖係數很高的附加1.6毫克/升6-BA和0.05毫克/升NAA的MS培養基。試管苗的生根培養比較容易,在試管苗的生根培養基篩選中,認為附加0.2毫克/升NAA的1/2MS培養基較好。
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羽葉薰衣草栽培技術
移植:試管苗根長到0.5釐米左右時,將培養瓶移到花房煉苗3天,然後打開瓶蓋繼續煉苗2-3天,取出試管苗,用清水洗去根部的培養基,移栽到草炭土:珍珠岩:菜園土(體積比)為1:1:1的混合基質中,移栽後用50%多菌靈可濕性粉劑1000倍液噴霧,花房內保持温度20-30℃,空氣相對濕度60-80%,3周後正常澆水通風,使育苗條件逐漸從人工控制條件過渡到自然環境條件。
光照:羽葉薰衣草較粗生。光照過多容易木質化,但較其他品種不明顯。
温度:冬季-5℃以下要加以防護,不耐積雪。
放置:一般置於通風處,夏季處於室內或悶濕處有猝死的危險。
栽培季節:在中國南方地區每年5月以後由於高温及多雨,對一般薰衣草生長較為不利,而羽葉薰衣草一般在秋、冬及春季栽培皆容易,因此在夏季較少種植羽葉薰衣草。在夏季若置於防雨塑料布及略遮陰環境下,植株還能生長良好且開花。為使株形豐滿勻稱,需適度修剪。
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