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缺血半暗帶

鎖定
動脈粥樣硬化性血栓性腦梗死的梗死灶中心區周圍存在一個缺血邊緣區,神經元處於電衰竭狀態。即為缺血半暗帶。

目錄

缺血半暗帶定義

現代醫學研究表明,在梗死灶的周圍一般會形成一個“缺血半暗帶”。腦缺血半暗帶最早由我國神經內科專家郎鴻志教授提出。“半暗帶”內存在着大量處於休眠狀態或半休眠狀態的腦細胞,這些細胞僅能維持自身形態的完整,由於缺少能量的供應,無法行使原有的正常功能。因此,如何挽救這些細胞即半暗帶,已經成為目前臨牀治療的關鍵和熱點。

缺血半暗帶危險因素

有關文獻顯示,腦細胞死後不能修復,腦梗塞或出血後只在局部形成纖維膠質疤痕。因此,有效降低腦血管病發病率,在於確定腦血管病危險因素,及時採取措施消除或減少它們的影響。其中,老年是重要的獨立危險因素,其他已經發現的危險因素還有:
高血壓——中風最重要的危險因素和基本病因;中風的危險度與血壓高度呈線性關係,有高血壓史者腦卒中危險增高13——24倍。控制舒張壓(和收縮壓)可顯著降低中風的發病率。
吸煙——煙齡是中風非常重要的獨立危險因素。
心臟病——腦卒中第三位公認危險因素是心臟病,特別是伴發心律失常、心肌梗塞者,為中風、缺血性中風的危險因素。
糖尿病和血糖升高——糖尿病和血糖升高為缺血性中風的獨立危險因素。1項隨訪22年的前瞻性研究顯示,缺血性卒中校正年齡的相對危險度在血糖正常高值、無症狀高血糖、已知糖尿病3組分別為1.32、1.86和2.72。此外,高脂血症、急性腦血管病史、大量飲酒、長期應用避孕藥,腹部肥胖、缺乏體育活動、長期緊張、情緒突變、氣温驟冷、鈉鹽攝入過多、鉀鹽攝入過少、中風家族史等均為中風的可能危險因素。 [1] 
參考資料