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紅外探傷儀
鎖定
在特定光源和紅外探測器的協助下，HS-NIR-01型紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個波段的波長，但是如果硅塊裏面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質將吸收紅外光，因此在成像系統中將呈現出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動生成三維模型圖像。
- 中文名
- 紅外探傷儀
- 用 途
- 多晶硅片生產中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器
紅外探傷儀工作原理
多晶硅紅外探傷測試儀主要由紅外光源，旋轉台，成像系統構成。成像系統的參數設置包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時間設置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉台由單軸伺服電機驅動，同時擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機。
通常都是在硅塊清洗處理後線切割前進行紅外探傷，在線切割前進行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統中。斷線的修復是一個費時費力的工作，同時不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產中不可或缺的工具。
紅外探傷儀儀器簡介
紅外探傷儀儀器特點
■為太陽能多晶硅片過程中的質量控制提供了強大的監測工具
■檢測速度快，平均每個硅塊檢測時間為不超過1分鐘
■NIRVision軟件能夠分析4面探傷結果，並且直接將結果轉換成三維模型圖像
■成像過程將自動標出夾雜的位置所在
■獨特的加強型內插法為高分辨率的雜質探傷功能提供了強大的技術保障
■採用歐洲數控工程鋁合金材料
■表面都採用了高強度漆面和電氧化工藝保護
■系統外框採用高質量工業設計
■所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求
■能夠通過自動或手動旋轉對硅塊的前後左右四面和上下兩面進行全面探傷。
■紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟件直接控制，同時它具有過熱保護功能
■同時軟件包含了雜質圖像的管理分析功能
■穩定性和耐用性俱佳。
■探傷測試面最好進行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進行紅外探傷
■紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多
■一般電阻率不能低於0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上
紅外探傷儀部分技術參數
■主要探測指標：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等
■硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）
■檢測時間：平均每個硅塊1分鐘
■最大探測深度：200mm
■外框和箱體
>尺寸：143x53x55
>外框採用數控工程鋁合金
>外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板
>主機重量：98 kg
>附件重量：25 kg
■旋轉台
>採用單軸伺服電機
>最大承載量:40kg
> 具有過流保護以防止損傷和電機燒燬
>無步進損失，高分辨率解碼機器
■紅外光源
>高強度NIR滷燈，273mm加熱波長
>功率：230V, 1000W
>温度：25-60攝氏度
>光強可通過軟件控制
>軟件具有過熱保護
■觀測儀
>採用紅外CCD控温
>12位ADC
> 頻率：60Hz和100Hz兩個選擇
>像素間距: 30μm
>分辨率：: 320x256 像素
>可手動調節紅外鏡頭
紅外探傷儀儀器的實際應用
籽晶的在探傷儀的探傷效果圖：
籽晶探傷效果圖
- 參考資料
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- 1. 紅外探傷儀 ．合能陽光[引用日期2012-09-04]
