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碳化硅陶瓷
鎖定
- 中文名
- 碳化硅陶瓷
- 外文名
- silicon carbide ceramics
- 主要成分
- SiC
- 俗 稱
- 金剛砂
碳化硅陶瓷晶體結構
碳化硅主要有兩種晶體結構,即立方晶系的β- SiC和六方晶系的
- SiC。碳化硅晶體的基本結構單元是相互穿插的SiC和CSi四面體。四面體共邊形成平面層,並以頂點與下一疊層四面體相連形成三維結構。由於四面體堆積次序的不同可以形成不同的結構,已發現數百種變體。一般採用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格類型,並用單位晶胞中所含的層數以示區別,例如nH表示沿c軸有n層重複週期的六方晶系結構,而mR則表示沿c軸有m層重複週期的菱面體結構。
碳化硅陶瓷特點
碳化硅(SiC)
[1]
是共價鍵很強的化合物,其Si--C鍵的離子型僅12%左右,因此,它也具有優良的力學性能、優良的抗氧化性、高的抗磨損性以及低的摩擦係數等。碳化硅的最大特點是高温強度高,普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時強度將顯著降低,而碳化硅在1400攝氏度時抗彎強度仍保持在500 ~600MPa的較高水平,因此其工作温度可達1600 ~ 1700攝氏度。再加上碳化硅陶瓷的熱傳導能力也較高,在陶瓷中僅次於氧化鈹陶瓷,因此碳化硅已經廣泛應用於高温軸承、防彈板、噴嘴、高温耐蝕部件以及高温和高頻範圍的電子設備零部件等領域。
稀土氧化物如Y2O,同樣可以作為碳化硅陶瓷的燒結助劑,通過液相燒結的途徑獲得緻密的碳化硅。由於其液相燒結是通過玻璃相的形成來降低孔隙率,提高緻密度的,因此,玻璃相的特性對燒結所得微觀結構影響很大。
碳化硅陶瓷性能
具有優良的力學性能、優良的抗氧化性、高的抗磨損性以及低的摩擦係數等。SiC陶瓷的缺點是斷裂韌性較低,即脆性較大,為此,以SiC陶瓷為基的復相陶瓷,如纖維(或晶須)補強、異相顆粒彌散強化、以及梯度功能材料相繼出現,改善了單體材料的韌性和強度。具體性能見下表
[2]
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