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砷化銦

鎖定
砷化銦,是一種無機化合物,化學式為InAs,是一種化合物半導體材料,主要用作光學材料、催化劑等。
2017年10月27日,世界衞生組織國際癌症研究機構公佈的致癌物清單初步整理參考,砷和無機砷化合物在1類致癌物清單中。 [1] 
中文名
砷化銦
外文名
indium arsenide
化學式
InAs
分子量
189.74
CAS登錄號
1303-11-3
EINECS登錄號
215-115-3
熔    點
943 ℃
水溶性
不溶
密    度
5.67 g/cm³
外    觀
灰色顆粒

砷化銦物質結構

常温呈銀灰色固體,具有閃鋅礦型的晶體結構,晶格常數為0.6058nm,能帶結構為直接躍遷,禁帶寬度(300K)0.45eV。
InAs在熔點(943℃)時砷的離解壓只有0.033MPa,可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法,單晶直徑達φ50mm。

砷化銦理化性質

密度:5.67g/cm3
熔點:943℃
外觀:灰色顆粒
溶解性:不溶於水 [2] 

砷化銦毒理學數據

1、急性毒性
小鼠植入皮下LD50:32500mg/kg。
2、生殖毒性
大鼠生殖毒性試驗TDLo:呼吸管,公鼠交配前8周,123mg/kg。 [2] 

砷化銦功能用途

InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μeh=70),低的磁阻效應和小的電阻温度係數,是製造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可製造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。
參考資料