漂移室

基本原理就是通過漂移時間的測量，可以確定入射粒子位置。一個漂移單元由陽極、場電極和許多場絲組成。場電極和場絲加上適當的電位，以造成很大範圍的均勻電場。電子的漂移速度與氣體成分、電場分佈有關。

所以要求：

1）電子漂移速度恆定且有較低的值；

2）室內電場比較均勻；

3）屬於每根絲的漂移區邊界明確；

4）能確定粒子從陽極絲的哪一邊通過，即左右分辨問題。 ^[1] 

定位精度很高（100um或更好），時間分辨好（可達 5ns），直流高壓下自觸發，連續靈敏，能同時計數和定位，由於絲距較大，易製成各種形狀的大面積探測器，絲數的減少將降低電子線路的費用，提高每絲的計數率(10～10s()：可用於磁場中，但由於電子在漂移過程中會受到磁場影響而偏離無磁場軌道，在定位時需作一定校正。 ^[1] 

目前漂移室與多絲正比室一樣，在高能物理實驗中起着極其重要的作用，已成為必不可少的探測器之一，同時在核物理、天文學及宇宙線、生物、醫學及X 射線晶體學中的應用也正在不斷髮展。例如：作頂點探測器（Vertex Detector）探測相互作用頂點；作主漂移室（Mian drift chamber）測量帶電粒子的方向和動量，同時測量入射粒子的電離損失進行粒子鑑別；作µ子探測器。 ^[1] 

漂移室與多絲正比室的重要區別在於：多絲正比室是隻要某陽極絲有輸出脈衝，就認為粒子入射在該絲的1/2絲距範圍之內(絲距指二根相鄰陽極絲間距離)。而漂移室將進一步測量出初始電離電子向陽極絲的漂移時間，由漂移時間的長短定出入射粒子離開陽極絲的準確距離，從而很大地提高了空間分辨本領。陽極絲距也就不再是多絲正比室那樣的1mm、2mm等，而是增大到幾釐米甚至幾十釐米。讀出電子學器件中，各絲除放大器等外，必須有時間－數學轉換器等再接到計算機。此外，室的基本構造類似於多絲正比室，主要部件是兩個陰極平面和一個陽極絲平面，內充合適的氣體。目前，按不同的需要又發展了各種類型的漂移室，主要有多絲漂移室、均勻電場漂移室和可調電場漂移室，以及低氣壓、高氣壓、球形、圓筒形等特殊類型的漂移室。 ^[2] 

BESⅢ漂移室是 BESⅢ探測器的最內層徑跡探測器，具有結構複雜、大端面組裝、精度要求高等特點。漂移室各端面板上共有直徑為 3.2mm 的絲孔約 3 萬多個，且均為細長孔，加工變形很難控制; 室體端面板上絲孔位置度要求為 Ф0.05mm，組裝後單端各端面板絲孔位置度 Ф0.10mm，組裝後東、西兩端對應偏差 0.20mm，兩端的同軸度要求 0.10mm，是全國首例高精度加工產品。

BESⅢ漂移室是由專用托架支撐，測量時不能施加外力，因此需要選擇非接觸座標測量儀器，單點測量精度應滿足測量精度的要求，如經緯儀測量系統，它是通過預先在室體上粘貼瞄準測量目標，進行目標點的非接觸測量。

經緯儀測量系統主要由高精度電子經緯儀、高精度定標尺、多通道接口、計算機及測量軟件和測量目標組成。高精度電子經緯儀：用於獲取觀測數據，測角不確定度 0.5" ；高精度定標尺： 用於測量系統長度量的定標； 多通道接口： 用於連接計算機與電子經緯儀，實現數據的通訊與控制；計算機與測量軟件： 用於控制測量過程，建立空間座標系，存儲並處理觀測數據；測量目標： 用於漂移室測量時的瞄準目標。 ^[2]