-
溝道長度調製效應
鎖定
溝道長度調製效應是指MOS晶體管中,柵下溝道預夾斷後、若繼續增大Vds,夾
斷點會略向
源極方向移動。導致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小,有效溝道電阻也就略有減小,從而使更多電子自源極漂移到夾斷點,導致在
耗盡區漂移電子增多,使Id增大的效應。
- 中文名
-
溝道長度調製效應
- 外文名
-
Channel length modulation
- 性 質
-
MOS結構的二級效應
- 領 域
-
電子
以在加柵壓Vgs且形成導電溝道的情況下的NMOSFET為例。若漏源電壓Vds增大至不可忽略,溝道
電壓降增大直至Vgd=VT時,由於
柵漏之間電壓差降低,漏端附近
反型層消失,稱為溝道夾斷。若繼續增大Vds,夾斷點將向源端移動,故"看起來",有效溝道長度減小,稱為溝道調製效應。
對於長溝器件而言,溝道變化長度△L遠小於原溝道長度,即△L可忽略,但在
集成電路特徵尺寸逐漸縮小的今天,溝道調製效應帶來的影響愈加不可忽視。