深能級

半導體中的深能級所包括的範圍十分廣闊，可以是單個的雜質原子或缺陷，也可以是雜質和缺陷的絡合體。它們往往可以連續接受幾個電子，在禁帶中形成多重能級，各對應於不同的電荷態 ^[1]  。

半導體的深能級雜質可以提供電子和空穴複合的渠道，起“複合中心”的作用，其具體過程是，導帶電子落入深能級，然後再落入價帶的空能級；其總效果是消滅一對電子和空穴，即電子-空穴複合。這個過程也可以看做是深能級先後俘獲一個電子和一個空穴。複合的逆過程就是電子-空穴對的產生，它可以看做是深能級先後發射一個電子和一個空穴 ^[2]  。

雜質能級的位置位於禁帶中心附近，電離能較大，在室温下，處於這些雜質能級上的雜質一般不電離，對半導體材料的載流子沒有貢獻，但是它們可以作為電子或空穴的複合中心，影響非平衡少數載流子的壽命，這類雜質稱為深能級雜質。

 

深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手 段。根據半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗 方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的温度掃描，可以給出表徵半導體禁帶範圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨温度（即能量） 分佈的DLTS 譜 ^[3]  。