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氮化銦鎵
鎖定
氮化銦鎵，分子式InxGa1-xN。利用氮化銦和氮化鎵所形成的三元化合物半導體。為直接帶隙半導體。能隙範圍能夠隨合金中銦組分摩爾分數x的變化從氮化銦能隙的0.7電子伏到氮化鎵能隙的3.4電子伏自由調節。可用於製備高效率太陽能電池和發光二極管。是現代藍色光、綠色光和紫外線發光二極管有源層的必要物質。
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- 中文名
- 氮化銦鎵
- 分子式
- InxGa1-xN
- 參考資料
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- 1. 氮化銦鎵 ．大辭海[引用日期2020-11-17]
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