楊輝

1982年畢業於北京大學無線電系，同年考取中國科學院半導體所研究生，1991年獲博士學位，1993至1996年在德國柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士後和客座研究員。

1997年被中科院半導體所聘為研究員。1998年獲國家傑出青年基金支持。2000年被聘為國家光電子工藝中心主任。2002年被任命為中科院半導體所副所長。1998-2002年曾任國家863計劃光電子主題專家組成員。

2009年12月至2020年6月，任中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所長。 ^[3] 

現擔任中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員，香港大學榮譽教授，北京郵電大學和同濟大學客座教授，中國電子學會電子材料分會主任委員。 ^[2] 

政協江蘇省第十二屆委員會委員。 ^[1] 

主要從事III-V族化合物半導體的材料生長，物理分析，以及器件研究。 ^[2] 

1992年在國內首次用MOCVD技術生長出高質量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器，使當時國內MOCVD材料生長技術和量子阱激光器研製水平同時都上了一個台階，達到當時的國際水平；1999年成功研製出了世界上第一隻立方相GaN藍色發光二極管器件，開發成功了氮化鎵基LED中游工藝產業化技術，與深圳方大合作率先在國內成功實現了氮化鎵基藍綠光LED的產業化；2004年研製出中國大陸第一支氮化鎵基藍光激光器。帶領科研人員開展氮化鎵基激光器、氮化鎵基紫外探測器、硅襯底上氮化鎵基發光器件及其集成技術等國際上氮化鎵基半導體材料與器件以及開發領域的前沿課題的研究，主持了“863”重大項目，中科院重大項目，國家基金項目等十餘項。在國際著名期刊發表80餘篇論文，被SCI、EI等引用次數超過1000次。曾兩次獲中國科學院科學技術進步二等獎。