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本徵激發
鎖定
- 中文名
- 本徵激發
- 説 明
- 有電子從價帶激發到導帶去
- 補 充
- 受到禁帶寬度的影響
- 對 象
- 本徵半導體
本徵激發簡介
當半導體的温度T>0K時,有電子從價帶激發到導帶去,同時價帶中產生了空穴,這就是所謂的本徵激發。
一般來説,半導體中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強,如果能從外界獲得一定的能量(如光照、温升、電磁場激發等),一些價電子就可能掙脱共價鍵的束縛而成為近似自由的電子(同時產生出一個空穴),這就是本徵激發。這是一種熱學本徵激發,所需要的平均能量就是禁帶寬度。
本徵激發還有其它一些形式。如果是光照使得價電子獲得足夠的能量、掙脱共價鍵而成為自由電子,這是光學本徵激發(豎直躍遷);這種本徵激發所需要的平均能量要大於熱學本徵激發的能量——禁帶寬度。如果是電場加速作用使得價電子受到高能量電子的碰撞、發生電離而成為自由電子,這是碰撞電離本徵激發;這種本徵激發所需要的平均能量大約為禁帶寬度的1.5倍。
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本徵激發相關定義
1、本徵半導體:
沒有雜質和缺陷的半導體,叫做本徵半導體。
實際上,摻雜半導體在高温下也可以轉變為本徵半導體。因此,本徵半導體就是兩種載流子(電子和空穴)同樣都對導電起作用的半導體。
2、本徵激發:
定義:當半導體的温度T>0K時,有電子從價帶激發到導帶去,同時價帶中產生了空穴,這就是所謂的本徵激發。本徵激發的容易程度受到禁帶寬度的影響。
本徵激發分子電子躍遷
分子電子躍遷表示分子中價電子從一個能級因為吸收能量時,躍遷到一個更高的能級;或者釋放能量,躍遷到更低的能級的過程。如果起始能級的能量比最終能級的能量高,原子便會釋放能量(通常以電磁波的形式發放)。相反,如果起始能級的能量較低,原子便會吸收能量。釋放與吸收的能量等於這兩個能級的能量之差。
一般,我們應用電子躍遷來説明單個原子。當討論多原子分子時,我們應用分子軌道理論。也可以視單個原子為單原子分子,將各種情況的電子躍遷統一到分子電子躍遷的框架下來。這裏的能級是基於分子軌道理論提出的。
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