施主雜質

以半導體材料硅為例，雜質原子進入半導體硅後，只可能以兩種方式存在。一種方式是雜質原子位於晶格原子間的間隙位置，常稱為間隙式雜質；另一種方式是雜質原子去掉晶格原子而位於晶格格點處，常稱為替位式雜質。 ^[1] 

以硅中摻雜磷（P）為例，一個磷原子佔據了硅原子的位置，磷原子有5個價電子，其中4個價電子與周圍的4個硅原子形成共價鍵，還剩餘一個價電子。同時磷原子所在處也多餘一個正電荷+q（硅原子去掉價電子有正電荷4q，磷原子去掉價電子有正電荷5q），稱這個正電荷為正電中心磷離子（P⁺）。所以磷原子替代硅原子後，其效果是形成一個正電荷中心P⁺ 和一個多餘的價電子。這個多餘的價電子就束縛在正電中心P⁺的周圍。但是，這種束縛作用比共價鍵的束縛作用弱得多，只要很少的能量就可以使它掙脱束縛，成為導電電子在晶格中自由運動。 ^[1] 

在純淨半導體中摻入施主雜質，雜質電離以後，導帶中的導電電子增多．增強了半導體的導電能力。通常把主要依靠導帶電子導電的半導體稱為電子型或n型半導體。 ^[1]