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擴展位錯
鎖定
擴展位錯(extended dislocation):一個全位錯分解為兩個或多個不全位錯,其間以層錯帶相聯,這個過程稱為位錯的擴展,形成的缺陷體系稱為擴展位錯。
- 中文名
- 擴展位錯
- 外文名
- extended dislocation
- 定 義
- 缺陷體系
- 根 據
- 位錯伯格斯矢量守恆的定則
- 束集地點
- 擴展位錯上的割階
- 寬 度
- 兩個不全位錯之間的距離
擴展位錯簡介
以面心立方結構為例討論擴展位錯問題。面心立方結構中滑移面為(111)面,位錯柏氏矢量為b =1/2[110]。下圖1-(a)是刃型位錯的示意圖,可見面心立方結構的刃型全位錯有兩個多餘半原子面,即相互錯開的兩個(110)面。在實際金屬中,經常是兩個半原子面向兩側分開,中間留下一層a面對b面的上下錯排區,如圖1-(b)所示。這個錯排區稱為堆垛層錯,簡稱層錯。兩個分開的半原子面構成柏氏矢量小於分開前全位錯的新位錯,稱為分位錯或不全位錯。兩個分位錯連同它們之間的層錯總起來叫做擴展位錯。全位錯之所以擴展是因為擴
擴展位錯原理
擴展位錯根據位錯伯格斯矢量守恆的定則,應有
b=∑bk
式中b是未擴展全位錯的伯格斯矢量,bk(k=1、2、3……)是分解後各個不全位錯的伯格斯矢量。當然還要求擴展後體系的能量小於(至多等於)擴展前 全位錯的能量。最常被引述的例子是fcc晶體中的位錯擴展反應。面心立方晶體{111}晶面是按ABCABCABC.......順序堆垛的。若單位位錯b=a/2[-110]在切應力作用下沿着(111)[-110]在A層原子面上滑移時,則B層原子從B1位置滑動到相鄰的B2位置,需要越過A曾原子的“高峯”,這需要提供較高的能量,但如果分成兩步滑移,即先從B1位置沿A層原子間的“低谷”滑移到近鄰的C位置,即b1=1/6[-12-1];然後再由C位置滑移到B2位置,即b2=1/6[-211],這種滑移比較容易。顯然,第一步滑移將在(111)晶面上導致堆垛順序的變化,由原來的ABCABCABC.......正常堆垛順序變為ABCACB......第二步滑移時又恢復正常。既然第一步滑移造成了層錯,那麼層錯區和正常區之間必然會形成兩個不全位錯。故b1和b2是兩個肖克萊不全位錯。由於這兩個不全位錯位於同一滑移面上,彼此同號且柏氏矢量的夾角θ為60°(<90°),故他們必然相互排斥並分開,其間夾着一片層錯區。這樣就形成了一擴展位錯。
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擴展位錯特點
擴展位錯有時在某些地點由於某種原因會發生局部的收縮,合併為原來的非擴展狀態,這種過程稱為擴展位錯的束集。擴展位錯上的割階多是發生束集的地點,不過出現擴展割階的情況也是很多的。