堆垛層序

在晶體點陣中，密排原子面規則堆垛次序發生差錯引起的一種晶體二維缺陷，簡稱層錯。以面心立方點陣為例，密排面{111}的規則堆垛次序為ABCABCABC…；李晶界面兩邊堆垛次序為 ABCABC/BACBA…；Schokley分位錯掃過區域:：ABCABC/ BCABC…；正 Frank分位錯所圍區域 ABCABC /B/ABC…；負Frank分位錯所圍區域 ABCA/CABC…等。其中標有“/”的位置原子面堆垛次序發生差錯，即產生堆垛層錯。堆垛層錯的邊界線為一分位錯。層錯不引起點陣畸變，但由於局部破壞了晶體的正常週期排列，引入層錯能，使晶體的能量升高。 ^[1] 

（1）外層錯：插入一密排面形成 ABCAB（A）CABC…。

（2）內層錯：抽去一密排面，形成 ABCABCBCABC…。

（3）孿生：堆垛具有鏡面對稱性（對稱密排），形成 ABCABCABCACBACBA…。 ^[2] 

面缺陷是晶體中有一些面的晶格週期性被破壞的擴展性缺陷。主要有堆垛層錯，孿晶和晶粒間界三類。

孿晶是一對連生的晶塊。兩晶塊以特定的取向相交接形成的界面，稱為李晶界面。在鐵電晶體中，兩部分晶體的極化方向不同，即有不同極化取向的電疇，孿晶界面就是鐵電疇界。

大多數材料是由許多取向不同的晶粒組成的，晶粒之間的界面稱為晶界，它包含有幾個原子間距的薄層，結構複雜。晶粒取向角差超過15°的是大角品界，其中原子排列很複雜，精確、定量描述很困難。伯格斯對小角品粒間界提出一種簡單模型：由一系列刃型位錯組成的界面。