-
晶體織構
鎖定
晶體在形成過程中,例如金屬材料冷熱加工和塑性成型過程中,多晶體中的各晶粒就會沿着某些方向有序排列,呈現出或多或少的統計不均勻分佈,即出現在某些方向上聚集排列,因而出現在這些方向上取向幾率顯著增大的現象,這種現象稱為擇優取向或擇尤取向,或稱之為織構,即晶體織構。
織構對材料的物理化學及力學性能都有着顯著的影響,也是用於設計和改進材料性能的重要工具,因而近年來越來越多地受到企業和科研院所的重視。
- 中文名
- 晶體織構
- 外文名
- Crystal texture
- 表示方法
- 晶體學指數表示法、直接極圖法
- 包 含
- 微觀取向分佈的位置、角度
- 別 名
- 擇優取向或擇尤取向
- 學 科
- 金屬材料
晶體織構簡介
為了具體描述織構(即多晶體的取向分佈規律),常把擇優取向的晶體學方向(晶向)和晶體學平面(品面)跟多晶體宏觀參考系相關連起來。這種宏觀參考系一般與多晶體外觀的幾何特徵相關連,譬如絲狀材料一般採用軸向,板狀材料多采用軋面及軋向。多晶體在不同受力情況下,會出現不同類型的織構。軸向拉拔或壓縮的金屬,往往以一個或多個結晶學方向平行或近似平行於軸向,這種織構稱為絲織構或纖維織構。
理想的絲織構往往沿材料流變方向對稱排列,其織構常用與其平行的晶向指數來表示。在某些鍛壓和壓縮等的多晶體材料中,晶體往往以某一晶面法線平行於壓縮力軸向,此類擇優取向稱為面織構,常以{HKL}來表示。軋製板材的晶體,既受拉力又受壓力,因此除某些晶體學方向平行軋向外,某些晶面還平行於軋面,此類織構稱為板織構,常以HKL}來表示。
為了直觀地表示這種多晶體在空間的擇優取向性,必須把這種微觀取向分佈的位置、角度、密度分佈與材料的宏觀座標系(拉絲及纖維的軸向,軋板的軋向、橫向及板面法向)聯繫起來。通過材料宏觀的外觀座標系與微觀取向的聯繫,就可直觀地瞭解多晶體微觀的擇優取向特性。
晶體織構織構的表達
x射線晶體學中,織構表示方法有多種,如晶體學指數表示法、直接極圖法、反極圖法以及晶體三維空間取向分佈函數法等。為了表示織構的強弱及漫散程度,常採用平面投影的方法,最常用的是極射赤道平面投影法。晶體在三維空間中取向分佈的三維極射赤道平面投影稱為極圖,極圖分直接極圖和反極圖。此外還有等面積投影法,得到等面積投影極圖。
直接極圖亦稱為正極圖,它是把多晶體中每個晶粒的某一低指數晶面(hkl)法線相對於宏觀座標系(軋製平面法向ND、軋製方向RD、橫向TD)的空間取向分佈,進行極射赤道平面投影來表示多晶體中全部晶粒的空間位向。把放置在投影球心的多晶試樣中每個晶粒的某一(hkl)晶面法線與投影球面的交點,都投影在標明瞭試樣宏觀方向ND、RD、TD的赤道平面上之後,把極點密度相同的點連線,形成等極密度線,這便形成了可表示出織構強弱和漫散程度的極圖。
[1]
晶體織構應用
理想多晶體中各晶粒的取向分佈是無規律的,故在宏觀上表現出“各向同性”。而實際的多晶體材料往往存在有與其製備及加工成形過程有關的擇優取向,即各晶粒的取向朝一個或幾個特定方位偏聚的現象,這種組織狀態稱為織構。如材料經拉拔、軋製、擠壓、旋壓等壓力加工後,由於塑性變形中晶粒方位轉動、變形而形成形變織構;退火後又產生不同於冷加工狀態的退火織構(或再結晶織構):鑄造材料具有某些晶向垂直於模壁的組織特點,電鍍、真空蒸鍍、濺射等方法制備的薄膜材料也表現出特殊的擇優取向。