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微波二極管
鎖定
微波二極管是指工作在微波頻段的二極管,屬於固體微波器件。微波波段通常指頻率從300兆赫到3000吉赫。
- 中文名
- 微波二極管
- 外文名
- microwave semiconductor diode
- 學 科
- 電子
- 定 義
- 工作在微波頻段的二極管
- 頻 段
- 300兆赫到3000吉赫
- 分 類
- 混頻、檢波、變容二極管等
微波二極管簡介
微波領域內的各種二極管,包括變容二極管、階躍二極管、PIN二極管、限幅二極管、電調變容二極管、固體噪聲二極管和雪崩二極管等。各種微波二極管在微波電路中起低噪聲放大、功率產生、變頻、調製、解調、信號控制等作用。
微波二極管是主要工作於微波頻段的二極管。如勢壘注入渡越時間二極管(BARITT),碰撞雪崩渡越時間二極管(IMPATT),限制空間電荷積累二極管(LSA),耿氏二極管(Gunn),俘獲等離子體雪崩二極管(TRAPATT)以及變容二極管等。所有這些二極管都是利用負阻效應將直流電能直接轉換為輻射微波能量
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微波二極管是微波領域內的各種二極管。其中,微波檢波二極管的工作頻率範圍為0~40GHz,檢波正切靈敏度為45~55dB·μW。階躍二極管,結合石英晶體振盪器可使微波源的頻率穩定到10-6~10-9量級
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微波二極管二極管的檢波特性
利用一個簡單的檢波電路,肖特基檢波二極管可以把微波射頻能量轉換為直流電壓,其分析方法可分為
兩類:一種是小信號(低輸入功率)分析模型———平方律檢波的工作方式;另一種是大信號(高輸入功率)分析模型———線性檢波的工作方式。但在實際工作中,檢波二極管既可在小信號模式下工作又可能同時工作在大
信號工作模式下。而且隨着通信技術的發展和檢波二極管應用範圍的擴展,對它的要求也越來越高,要求其
動態範圍越來越大。
微波二極管二極管簡介
二極管用於電子電路、集成電路、計算機中的電子器件,如二極管和晶體管是P型和N型半導體材料結合的產品,二極管是P-N型的一個例子,它在電子學中應用廣泛。
圖1中表示P型和N型半導體材料結合時所發生的變化,N型材料中大量的電子穿過傳導帶,進入P型材料的原子價帶中的電子空穴。
微波二極管分類
19世紀末發現了點接觸二極管效應後,相繼出現了PIN二極管、變容二極管、肖特基二極管、隧道二極管、耿氏二極管等微波二極管。微波二極管的基片材料由鍺、硅發展到砷化鎵,使微波二極管工作頻率不斷提高,目前最高頻率已達300吉赫。微波二極管具有體積小和可靠性高等優點,用於微波振盪、放大、變頻、開關、移相和調製等方面。
微波二極管是工作在微波領域中的各種二極管的統稱。按其在工作中的功能可分為低噪聲接收器件、控制器件和微波功率源器件。常用的低噪聲接收器件有點接觸二極管、肖特基勢壘二極管、隧道二極管及參放變容二極管等;用於控制器件的有電調諧變容二極管、高頻開關二極管和pin二極管等;而功率變容二極管、體效應二極管、階躍恢復二極管和雪崩二極管等可作為微波功率源器件
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微波二極管混頻二極管
基於金屬-半導體相接觸具有非線性電導原理製成的兩端器件。這種器件早在第二次世界大戰期間就用於雷達接收機中,是半導體領域中最早出現的實用性器件。1965年以前,這兩種二極管均為點接觸結構,即用微米級的金屬觸絲尖端與半導體鍺或硅接觸而產生高頻整流特性。
微波二極管檢波二極管
1965年以後出現性能優越的肖特基勢壘型混頻和檢波二極管(又稱肖特基二極管),其工作頻率從幾百兆赫到300吉赫,具有噪聲低、頻帶寬、抗燒燬性能好等特點。在整個微波頻帶內直接用二極管混頻的微波接收機的噪聲係數為4.0~70分貝。梁式引線結構和四管堆具有多倍頻程的性能。檢波二極管的工作頻率範圍為0~40吉赫,檢波正切靈敏度為45~55分貝毫瓦。
微波二極管變容二極管
基於PN結結電容隨反向偏壓變化而製成的微波半導體器件。大體可分兩大類:低噪聲參量放大器用變容管和電調諧用變容管。前者用於微波參量放大器,噪聲温度低達30K,已廣泛用於衞星地球站。後者主要用於頻率調諧、壓控振盪器、電子對抗和捷變頻雷達快速調頻等。此外,變容管還可以用於移相、限幅等。在製作上,兩類器件有一定區別,參放變容管要有好的電容非線性和很高的優值;而電調諧變容管則要嚴格控制半導體外延層的摻雜濃度分佈以便獲得大的電容變化區,並且應具有較高的優值。
微波二極管階躍二極管
一種窄I層結構的PIN二極管,當工作狀態從正向轉到反向時,其反向恢復時間很短(可以達幾十皮秒量級),且具有極其豐富的諧波,再加上反向非線性電容效應,可以用於倍頻、諧波發生、取樣、脈衝發生等。其主要用途是高頻穩定倍頻器,結合石英晶體振盪器可使微波源的頻率穩定度達到10-6~10-9量級,廣泛用於數字通信、雷達和衞星通信等設備中。
微波二極管PIN二極管
一種變阻器件,又稱等離子體二極管。一般是由P+P-I-NN+多層半導體構成。可以根據用途不同來控制I層的物理量和幾何參數進行設計。PIN二極管處於正向時,由於P層和N層分別向I層注入空穴和電子,電子和空穴在I層中形成等離子體而處於低的微波阻抗狀態,當二極管處於反向時是一等效小電容,為高的微波阻抗狀態。PIN二極管可以用於微波開關、電調衰減、移相、微波調製以及其他特殊用途。
微波二極管限幅二極管
利用二極管正向導通電阻很低來限制微波信號的幅度。在小功率限幅要求下,一般可選用高優質變容管;射頻功率較大時採用PIN二極管結構。這類器件用於保護微波接收機的低噪聲放大器等方面。
微波二極管固體噪聲二極管
固體噪聲二極管和固體噪聲源 基於PN結反向雪崩擊穿產生無規則噪聲而製成的一類微波器件。它與雪崩渡越器件最主要的區別是沒有渡越區。雪崩固體噪聲二極管具有噪聲頻譜寬、穩定性好、壽命長、工作電壓低(20~30伏)等優點。工作頻率0~40吉赫的已有產品。用這種噪聲二極管製成的固體噪聲源用於微波測量、遙感輻射計、自動雷達噪聲測試等。
微波二極管雪崩渡越二極管
基於PN結反向雪崩倍增和渡越產生射頻負阻原理製成的一種微波功率器件。1958年由美國W.T.裏德提出,所以又稱裏德二極管。這類二極管有各種結構:裏德結構(即P+NIN+)、肖特基結構(M-N-N+)高-低-高結構(H-L-H)、雙漂移結構(DDR或P+PNN+)等。所用材料主要有硅和砷化鎵。除了PN結雪崩渡越二極管外,由於其工作機理的差別,還有俘獲等離子體雪崩觸發渡越時間二極管,金屬-半導體-金屬勢壘渡越二極管,隧道雪崩渡越二極管等。雪崩渡越二極管及其功率源可達到極高的工作頻率,從幾百兆赫至300吉赫都可以獲得一定的微波功率。特別在毫米波波段,它是現代功率最大的固體器件,可連續波工作或脈衝工作。其缺點是噪聲比電子轉移器件稍高。用雪崩渡越二極管製成的雪崩振盪器和鎖定放大器用於微波通信、雷達、戰術導彈。
微波二極管渡越時間微波二極管
渡越時間微波二極管是一種固態微波二極管,其中載荷子的渡越時間很短,足以在微波波段工作。兩種主要類型中,一種是體效應二極管,如耿氏二極管和限制空間電荷積累二極管;另一種是面結型二極管,如勢壘注入渡越時間二極管、碰撞雪崩渡越時間二極管和俘獲等離子雪崩渡越時間二極管
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