徐章程

1988年9月考入安徽大學物理系物理學專業本科班，2004年9月起任南開大學物理科學學院教授、博士生導師，2010年11月起任南昌航空大學測試與光電工程學院院長，2013年9月起任天津市特聘教授，2019年1月起任二級教授。先後主持並完成國家自然科學基金項目4項，獲省部級科研和成果獎各一項。在Applied Physics Letter, Physical Review B,Nanotechnology, Journal of Physics：Condensed Matter，物理學報，Chinese Physics Letters, Chinese Physics B 等國內外著名期刊上發表論文40餘篇，獲中國發明專利授權4項。曾研製成功國際上增益最高的InGaAs/GaAs量子點激光器 ^[9]  和長餘輝材料磷光激發光譜測試系統（發明專利）等 ^[2]  。創作安慶黃梅音樂歌曲《相伴一生一世 ^[3]  》（版權註冊號碼：610001406114）。

1. Zhangcheng Xu, et al., “Short excitonradiative lifetime in submonolayerInGaAs/GaAs quantum dots”,Applied Physics Letters , 92, 063103 (2008). ^[6] 

2. Zhangcheng Xu, et al., “Long luminescence lifetime in self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots at room temperature”, Applied Physics Letters，93，183116(2008). ^[7] 

3. Zhangcheng Xu, et al., “Carrier Dynamics in SubmonolayerInGaAs/GaAs Quantum Dots”, Applied Physics Letters, 89, 013113 (2006). ^[8] 

4. Zhangcheng Xu, et al., “Submonolayer InGaAs∕GaAsInGaAs∕GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zero-linewidth enhancement factor”, Applied Physics Letters，85, 3259 (2004). ^[9] 

5. Zhangcheng Xu, et al., “Structure and optical anisotropy of vertically correlated submonolayerInAs/GaAs quantum dots”, Applied Physics Letters，82,3859 (2003). ^[10] 

6. Zhangcheng Xu, et al., “Influence of in situ annealing on carrier dynamics in InGaAs/GaAs quantum dots”, Nanotechnology 18(32):325401(2007). ^[11] 

7. Zhangcheng Xu,et al., “InGaAs/GaAs quantum-dot–quantum-well heterostructure formed by submonolayer deposition”, Nanotechnology,14,1259(2003). ^[12] 

8. Zhangcheng Xu, et al., “Self-organized growth of microsizedGe wires on Si (111) surfaces，Phys. Rev. B 75, 233310（2007）. ^[13] 

9. Zhangcheng Xu,et al.,”The relationship of the Poynting vector and the dispersion surface in the absorbing crystal”, Journal of Physics: Condensed Matter,8, 5977(1996). ^[14] 

10. Zhangcheng Xu, et al., “Bragg reflection and transmission of X-rays induced by the imaginary part of the atomic scattering factor”, Journal of Physics: Condensed Matter, 7, 8089(1995). ^[15] 

1.徐章程等，“亞單層InGaAs量子點-量子阱異質結構的時間分辨光致發光譜”，物理學報. 2005, 54(11): 5367-5371. ^[16] 

2.徐章程等，“原子吸收限附近完整晶體內的能流方向”，物理學報. 1997, 46(11): 2188-2197. ^[17] 

3.徐章程等， “吸收限附近非對稱反射條件下X射線的異常透射”,物理學報. 1998, 47(11): 1818-1826. ^[18] 

4.徐章程等，“吸收限附近GaAs在勞厄情況下的熒光溢出”，物理學報. 1998, 47(2): 252-259. ^[19] 

5.徐章程等，“測定温度因子的共振X射線動力學衍射法”，物理學報. 1998, 47(9): 1520-1528. ^[20] 

6.Zhangcheng Xu, et al, “Inter-Layer Energy Transfer through Wetting-Layer States in Bi-layer InGaAs/GaAs Quantum-Dot Structures with Thick Barriers” ,Chinese Physics Letters 26(5):057304(2009). ^[21] 

1.徐章程，“X射線熒光分析儀器及用於其的樣品容器”，中國發明專利，專利號：ZL201610330739.8，授權日：2020年09月25日 ^[2]  。

2. 徐章程等，“一種長餘輝材料磷光激發光譜測量系統及方法 ^[2]  ”，中國發明專利，專利號：ZL201711242248.9，授權日：2020年08月04日。