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徐現剛
鎖定
徐現剛，男，山東泰安人，1965年1月生，教授，博士生導師。
1992年獲得山東大學凝聚態物理博士學位，師從於蔣民華院士。2000年留美回國，2000年度國家傑出青年科學基金獲得者，973首席科學家，主要從事半導體材料製備及其應用研究的工作。
自1989年一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，製備出多種量子異質結構材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管、HBT、HEMT等。積極響應國家號召，踐行產學研結合，服務地方服務山東，把科技創新的成果產業化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先後突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，製備出基於SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。先後承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。
獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1998年獲得由IEE頒發的Electronics Letters Premium，1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家傑出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大傑出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。任國務院學位委員會委員、國家863計劃半導體照明工程總體專家組專家等等。
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- 中文名
- 徐現剛
- 外文名
- Xu xiangang
- 出生日期
- 1965年1月
- 主要成就
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國家傑出青年科學基金獲得者
[5]
教育部長江計劃特聘教授
科技部973國家重點基礎研發計劃首席科學家
徐現剛人物經歷
1982年考入山東大學物理系並先後獲得學士、碩士、博士學位。
1992年起任山東大學晶體所講師、副教授，
1995赴德國亞堔大學半導體技術研究所做洪堡學者，
1997年赴加拿大從事博士後/助研，
1999至2000年任美國SEP公司技術部經理。
徐現剛科學研究
徐現剛研究方向
一直從事半導體材料製備及其應用研究的工作，參加國家計委的產業化前期關鍵技術項目，開闢了大直徑SiC單晶襯底製備的研究方向。
徐現剛研究項目
承擔多個國家及省部級重大科研課題項目。
徐現剛研究成果
先後在國際性學術期刊上發表論文八十多篇，被SCI和EI收錄論文約70篇。獲得專利8項。獲山東省科技進步一等獎，美國工程師協會和英國工程師協會最佳論文獎；德國洪堡獎學金，“山東省留學回國創業獎”等學術獎勵。被評為2004年度“山東省十大傑出青年”。 2012年獲“全國優秀科技工作者”稱號
[2]
國務院政府特殊津貼等獎勵。
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製備出650nm可見光半導體激光器，閾值電流低達8mA，成功轉入產業化生產；製備出808nm有源層無鋁半導體激光器；2005年製備出高亮度AlGaInP紅色發光二極管，亮度達到150mcd以上，滿足規模生產的要求，達到台灣、美國等國際一流公司的產品水平；採用昇華法和優化坩鍋設計及温場分佈，在國內成功地生長出直徑大於2英寸的SiC單晶；進行InP/GaAsSb/InP雙異質結晶體三極管研究。在半導體光電材料與器件應用方面作出了突出貢獻，憑藉多年的半導體薄膜製備經驗，攻克了材料生長、器件工藝等多項難關，順利把創新科技成果實現產業化，產品佔據國內70%的市場，產銷量為國內首位。
徐現剛獲獎記錄
獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1998年獲得由IEE頒發的Electronics Letters Premium，1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家傑出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大傑出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。
- 參考資料
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- 1. sdu.edu.cn/in ．sdu.edu.cn/in[引用日期2018-02-13]
- 2. 徐現剛教授獲“全國優秀科技工作者”稱號 ．山東大學晶體所[引用日期2012-12-28]
- 3. 徐現剛獲國家重大科學研究項目立項資助 ．山東大學報．2008-12-11[引用日期2016-04-02]
- 4. 徐現剛 ．山東大學新一代半導體材料研究院[引用日期2023-07-02]
- 5. 徐現剛-山東大學物理學院 ．山東大學物理學院[引用日期2023-07-02]
