張雄

1980年以第一名的成績畢業於江西省重點中學南昌市第二中學; 1980年以江西省高考總分第四名(物理99分)的成績考入中國科技大學物理系; 1985年獲學士學位並同時考上中國科技大學物理系碩士研究生; 1987年獲得日本政府文部省(教育部)獎學金，並一舉考入日本東京大學應用物理系攻讀博士學位; 1992年獲得日本東京大學工學博士學位。 自1987年10月在日本東京大學應用物理系攻讀博士學位起，一直從事以砷化鎵，磷化銦和氮化鎵等為基礎的化合物半導體材料的MOCVD外延生長和相關光電子器件，如LED，光調製器，面發光激光器和異質結雙極晶體管（HBT）的工藝研發工作，迄今已逾二十年。

有：發表在Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Crystal Growth, IEEE J．Quantum Electronics等國際一流刊物上的SCI論文38篇；英文學術專著2部；美國授權專利2項，新加坡授權專利1項，日本申請專利7項，中國申請專利16項。榮獲日本政府文部省國費留學生獎學金，新加坡李光耀博士後獎學金（全新加坡每年僅四人獲此殊榮），日本奧林巴斯公司最高榮譽獎—社長獎，並於2007年被授予江蘇省首批引進的高層次創新創業人才獎。 ^[1]