密勒效應

密勒效應是以約翰·米爾頓·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三極管時發現了這個效應，但是這個效應也適用於現代的半導體三極管。

指電子管的陽極通過陽一柵電容在柵極感應的靜電荷 增大了有效柵一陰電容。 ^[1] 

可以採用平衡法（或中和法）等技術來適當地減弱密勒電容的影響。

平衡法即是在輸出端與輸入端之間連接一個所謂中和電容，並且讓該中和電容上的電壓與密勒電容上的電壓相位相反，使得通過中和電容的電流恰恰與通過密勒電容的電流方向相反，以達到相互抵消的目的。

密勒電容對器件的頻率特性有直接的影響。

例如，對於BJT：在共射（CE）組態中，集電結電容勢壘電容正好是密勒電容，故CE組態的工作頻率較低。

對於MOSFET：在共源組態中，柵極與漏極之間的覆蓋電容Cdg是密勒電容，Cdg正好跨接在輸入端(柵極)與輸出端（漏極）之間，故密勒效應使得等效輸入電容增大，導致頻率特性降低。

① 採用較小的電容來獲得較大的電容（例如製作頻率補償電容），這種技術在IC設計中具有重要的意義（可以減小芯片面積）；

② 獲得可控電容 (例如受電壓或電流控制的電容) 。

共發射極電路的24LC32輸入電容CI為基極一發射極間電容CbE與由於密勒效應而乘上(AV+1)後的基極一集電極間電容CbE之和。

但是，如圖1所示，渥爾曼電路的共發射極電路，由於Av=0，Ci僅為CbE與Cbc之和，沒有發生共發射極電路避免不了的密勒效應。因此，在渥爾曼電路的共發射極電路中（下面的晶體管），沒有因密勒效應而使頻率特性變壞。所以．該渥爾曼電路中的共發射極電路是Av=0，可以認為作為放大電路是完不發生密勒效應

共發射極電路的輸入電容C．為基極一發射極間電容CbE與由於密勒效應而乘上(AV+1)後的基極一集電極間電容Cbc之和。

但是，如圖1所示，渥爾曼電路的共發射極電路，由於Av=0，Ci僅為CbE與Cbc之和，沒有發生共發射極電路避免不了的密勒效應。

所以．該渥爾曼電路中的共發射極電路是AV≈1，可以認為作為放大電路是完全不起作用的。但是，如照片所示，在發射極上出現與輸入信號u．相同的交流成分，由於讓直接地加在發射極電阻RE上（因R3被C5與C6接地，在交流上與不存在一樣），所以共發射極電路作為由Vi使發射極電流變化的可變電流源而進行工作。

密勒效應在電子電路中，應用很廣泛 ^[2]  。

（1）密勒積分

在集成運算放大器開環增益A很高的情況下，展寬積分線性範圍，提高運算精度，獲得了廣泛的運用。

（2）用密勒電容補償，消除自激反應

由於密勒電容補償後的頻率響應，是一種在0dB帶寬不受損失的情況下, 使集成運算放大器沒有產生自激可能品質優良的“完全補償‘。

同時，密勒效應使小補償電容可以製作在基片上，從而實現了沒有外接補償元件的所謂“ 內藏補償” 。