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宮箭

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宮箭，男，1976年7月生，蒙古族，內蒙古大學研究生學歷，理學博士，教授，中共黨員，博士生導師，內蒙古大學物理科學與技術學院教授。 [1] 
現任鄂爾多斯應用技術學院黨委副書記、校長。 [2]  [5-8] 
中文名
宮箭
畢業院校
內蒙古大學
學位/學歷
博士
職    業
教師
專業方向
凝聚態物理 ，計算物理

目錄

  1. 1 人物履歷
  2. 2 擔任職務
  3. 3 職務任免
  1. 4 講授課程
  2. 5 研究方向
  3. 6 科研項目
  1. 7 所獲獎項
  2. 8 學術兼職
  3. 9 學術論文

宮箭人物履歷

1994.9-1998.7 內蒙古大學物理學專業學士學位
1998.9-2001.7 內蒙古大學理論物理專業碩士學位
2001.9-2005.7 內蒙古大學理論物理專業博士學位
2001.7–，內蒙古大學物理系 講師(2001),副教授(2006),教授(2010)
2005.9-2007.6 中科院半導體研究所博士後
2009.3-2009.7 香港城市大學高級副研究員
2012.9-2013.9 美國勞倫斯伯克利國家實驗室 [1] 
2008.03-2015.08　內蒙古大學物理科學與技術學院教師（其間：2009.03-2009.07香港城市大學高級研究助理；2009.08-2015.08內蒙古大學物理科學與技術學院院聘副院長；2010.12評為教授；2012.09-2013.09美國勞倫斯伯克利國家實驗室訪問學者）
2015.08-2017.08　內蒙古大學物理科學與技術學院副院長（主持工作）
2017.08-2021.05　內蒙古大學物理科學與技術學院黨委副書記、院長
2021.05-　內蒙古師範大學黨委委員、副校長 [2] 
2024.02-　鄂爾多斯應用技術學院黨委委員、副書記，鄂爾多斯應用技術學院院長。 [5-6] 

宮箭擔任職務

中國人民政治協商會議內蒙古自治區第十三屆委員會委員 [3] 

宮箭職務任免

2024年3月，內蒙古自治區人民政府經研究決定，任命宮箭為鄂爾多斯應用技術學院院長。 [7] 

宮箭講授課程

本科生“力學”（春季學期）
本科生“固體物理”(秋季學期) [1] 

宮箭研究方向

1. 介觀體系中的自旋極化輸運現象
2. 半導體量子結構的輸運性質及其電子態
3. 微電子器件模擬 [1] 

宮箭科研項目

1. 主持國家自然科學基金 “層狀半導體結構中自旋極化隧穿的動力學研究”起止時間：2009年1月- 2011年12月。
2. 主持國家自然科學基金“隧穿場效應晶體管中齊納隧穿的理論研究” 起止時間：2014年1月- 2018年12月。 [1] 

宮箭所獲獎項

1. 2005年“熱物理”系列課程教學改革與建設，內蒙古自治區教學成果二等獎。
2. 2009年“介觀系統電子—聲子相互作用和隧穿問題的理論研究，內蒙古自治區自然科學獎一等獎。
3. 2009年“國家精品課程改革與建設”獲內蒙古自治區教學成果一等獎。
4. 2009年10月獲第七屆內蒙古自治區青年科技獎。
5. 2011年6月內蒙古自治區高等學校教壇新秀獎。
6. 2011年內蒙古大學勵學獎。
7. 2013年“創新知識體系的熱物理理論和通識課程改革實踐與開放共享”，內蒙古自治區教學成果一等獎。
8. 2014年獲內蒙古自治區首屆科技標兵稱號。
9. 2014年“創新知識體系的熱物理理論課程改革實踐與開放共享”，國家教學成果二等獎
10. 2018年“國家特色物理學專業建設與創新人才培養”榮獲內蒙古自治區教學成果一等獎。
11. 2018年獲寶鋼優秀教師特等獎提名獎。 [1] 
12. 2024年被命名為內蒙古自治區2023年“擔當作為好乾部”。 [4] 

宮箭學術兼職

1. 教育部教學指導委員會物理學類專業教學指導委員會委員（2018-2022）。
2. 內蒙古自治區物理學會秘書長。
3.計算物理學會理事。
4. 全國高等學校固體物理研究會常務理事。 [1] 

宮箭學術論文

1. X. D. Lv , F. Y. Li, J. Gong*, Z. F. Chen，The dimensional and hydrogenating effect on the electronic properties of ZnSe nanomaterials: a computational investigation， Physical Chemistry Chemical Physics，20（37）24453-24464（2018）
2. S. L. Su, J. Gong*, Z. Q. Fan,Tunnable rectifying performance of in-plane metal-semiconductor junctions based on passivated zigzag phosphorene nanoribbons，RSC Advance 8（55）31255-31260（2018）
3. J. Lu , Z. Q. Fan, J. Gong*, et al. Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects, Physical Chemistry Chemical Physics, 20,5699(2018).
4. J. Chen, J. Gong*, Theoretical investigation of the phonon-assisted tunneling in TFET with an indirect band gap semiconductor , Superlattices and Microstructures, 111, 319-325(2017).
5. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio performance predictions of single-layer In-V tunnel field-effect transistors , Physical Chemistry Chemical Physics, 19, 20121-20126 (2017).
6. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio simulation study of defect assisted Zener tunneling in GaAs diode , Aip Advances, 7, 065302 (2017).
7. X. W. Jiang, J. Lu, J. W. Luo, S. S. Li, J. Gong and L. W. Wang, Ab initio simulation on mono-layer MoS2 tunnel FET: Impact of metal contact configuration and defect assisted tunneling, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology IEEE, 486-488 (2016).
8. X. W. Jiang, J. Gong, N. Xu, S. S. Li, J. F. Zhang, Y. Hao, and L. W. Wang, Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects, Applied Physics Letters, 104, 023512 (2014).
9. M. Li, J. Chen, and J. Gong*, Dwell time and escape tunneling in InAs/InP cylindrical quantum wire, Acta Phys. Sin., 63, 237303 (2014).
10．R. Q. Wang, J. Gong*, J. Y. Wu and J. Chen, Time of spin-polarized tunneling through a symmetric double-barrier quantum well structure , Acta Physica Sinca, 62,087303 (2013).
11. H. D. Yue, Y. Zhang, J. Gong*, Quantum discord in three-spin XXZ chain with three-spin interaction[J],SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy,55(9),1641-1645 (2012).
12. Y. Ming, J. Gong* and R. Q. Zhang, Spin- polarized transport through ZnMnSe/ ZnSe/ ZnBeSe heterostructures , Journal of Applied Physics, 110, 093717 (2011).
13．H. Li, J. Gong, X. Hu and R. Q. Zhang, Barrier dependent electron tunneling lifetime in one-dimensional device structures [J], Journal of Applied Physics, 108, 104514 (2010).
14. J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted magnetotunneling in a parabolic quantum well with double barriers [J], Physica E, 40(8), 2664-2670 (2008).
15．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure [J], Journal of Applied Physics, 102(7), 073718 (2007).
16．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Tunneling time of electronic wave packet through a parabolic quantum well with double barrier [J], Physica Status Solidi (b), 244(6), 2064-2071 (2007).
17．J. Gong, F. H. Yang and S. L. Feng, Coherent tunneling in coupled quantum wells under a uniform magnetic field [J], Chinese Physics Letters, 24(8), 2383 (2007).
18．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon assisted tunneling in a parabolic quantum well with double barriers [J], Journal of Applied Physics, 100(2), 023707 (2006). [1] 
參考資料