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姚斌

（吉林大學教授）

鎖定

姚斌，男，1962年2月生，吉林省遼源市人。吉林大學教授，博士生導師，工學博士。^[1]

中文名: 姚斌
國籍: 中國
民族: 漢族

出生日期: 1962年2月
畢業院校: 吉林大學
職業: 教師

姚斌人物經歷

姚斌教育經歷

1979.09-1983.07，吉林師範大學（原四平師範學院）物理系，學士學位

1985.09-1988.07，吉林大學物理學院，碩士學位

1992.09-1995.07，中國科學院金屬研究所，博士學位

姚斌工作經歷

1983.07-1985.09，吉林師範大學物理系，助教

1988.07-1992.09，吉林師範大學物理系，講師

1995.07-1996.06，吉林師範大學物理系，副教授

1996.06-1998.12，吉林大學物理系，博士後，副教授

1998.12- 吉林大學物理系，教授，博士生導師

1999.10-2002.10，新加坡國立大學，訪問學者

2005.03-2010.07，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，研究員^[2]

姚斌研究方向

主要從事的研究領域是：高壓物理；非晶和納米材料的製備、表徵和性能；B，C，N輕元素化合物的合成和性能；金屬氮化物的製備、結構和性能。

姚斌代表性論文

1. R.J. Liu, Y.F. Li, B. Yao, Z.H. Ding, Y.H. Jiang, L. Meng, R. Deng, L.G. Zhang, Z.Z. Zhang, H.F. Zhao, L. Liu,Shallow Acceptor State in Mg-Doped CuAlO2 and Its Effect on Electrical and Optical Properties: An Experimental and First-Principles Study, ACS Applied Materials & Interfaces, 9(14), 12608-12616(2017).

2. Z.Y. Xiao, B. Yao, Y.F. Li, Z.H. Ding, Z.M. Gao, H.F. Zhao, L.G. Zhang, Z.Z. Zhang, Y.R. Sui, G. Wang, Influencing Mechanism of the Selenization Temperature and Time on the Power Conversion Efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-Based Solar Cells, ACS Applied Materials & Interfaces, 8(27), 17334-17342(2016).

3. G. Yang, Y. F. Li, B. Yao, Z.H. Ding, R. Deng, X. Fang and Z. P. Wei, Alternative Spectral Photoresponse in a p‑Cu2ZnSnS4/n‑GaN Heterojunction Photodiode by Modulating Applied Voltage，ACS Appl. Mater. & Interfaces 7, 16653−16658(2015).

4. B.Y. Zhang, B. Yao, Y.F. Li, A.M. Liu, Z.Z. Zhang, B.H. Li, G.Z. Xing, T. Wu, X.B．Qin, D.X. Zhao, C.X. Shan, and D.Z.Shen, Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism in Li-N codoped ZnO thin films , Applied Physics Letters, 99(18), 182503(2011).

5. H. Zhu, C.X. Shan, B. Yao, B.H. Li, J.Y. Zhang, Z.Z. Zhang, D.X. Zhao, D.Z. Shen, X. W. Fan,Y.M. Lu, and Z.K. Tang, Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide , Advanced Materials 21:1613（2010）

6. H.L. Pan, B. Yao, T. Yang, Y. Xu, B.Y. Zhang, W.W. Liu, and D.Z. Shen, Electrical properties and stability of p-type ZnO film enhanced by alloying with S and heavy doping of Cu, Applied Physics Letters，97，142101 (2010).

7. B. Y. Zhang，B. Yao, Y. F. Li, Z. Z. Zhang, B. H. Li, C. X. Shan, D. X. Zhao, and D. Z. Shen，Investigation on the formation mechanism of p-type Li–N dual-doped ZnO，Applied Physics Letters, (2010),97，222101.

8. R.Deng, B.Yao, Y.F.Li, Y.M.Zhao, B.H.Li, C.X.Shan, Z.Z.Zhang, D.X.Zhao, J.Y.Zhang, D.Z.Shen, and X.W.Fan, X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset, Applied Physics Letters，94，022108(2009).

9. Y. F. Li, B. Yao, Y. M. Lu, Z. P. Wei, Y. Q. Gai, C. J. Zheng, Z. Z. Zhang, B. H.Li, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, Realization of p-type conduction in undoped MgZnO thin films by controlling Mg content, Appl. Phys. Lett. 91, 021915 (2007).

10. C. X. Cong, B. Yao, G. Z. Xing, Y. P. Xie, and L. X.Guan,B. H. Li, X. H. Wang, Z. P. Wei, Z. Z. Zhang, Y. M. Lv, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Control of structure, conduction behavior, and band gap of Zn_1−xMg_xO films by nitrogen partial pressure ratio of sputtering gases, Appl. Phys. Lett. 89, 262108(2006).^[2]