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壓電光電子學
鎖定
- 中文名
- 壓電光電子學
- 外文名
- Piezophototronics
- 提出者
- 王中林教授
- 提出時間
- 2010年
壓電光電子學簡介
壓電電子學和壓電光電子學的基本概念和原理由王中林教授研究組分別於 2007 年和 2010 年首次提出 ,已成為納米科學和技術研究的前沿和熱點 . 在人機界面、主動式傳感器、主動式柔性電子學、微型機器人、智能電子簽名、智能微納機電系統以及能源技術等領域中 , 壓電電子學和壓電光電子學具有廣闊的應用前景 。
壓電光電子學機制
當一個P型半導體和一個N型半導體形成一個結,P型那一側的空穴和N型那一側的電子趨向於在界面區域重新分佈以平衡局域電場,這將導致一個電荷的耗盡層。在結區,電子和空穴的擴散以及複合強烈的受到局域電場分佈的影響,而它與器件的光電子特性聯繫緊密。界面處存在的壓電電荷會引入三種效應:由於引入的局域電場所導致的局域能帶的移動、存在於壓電半導體材料中的極化所導致的結區中能帶的傾斜、以及為了平衡局域壓電電荷局域電荷載流子進行重新分佈所導致的電荷耗盡區的變化。在N型的半導體區域,結區中正的壓電電荷降低能帶,而負的壓電電荷提高能帶。 由於壓電電勢所導致的局域能帶的改變可能會對電荷的俘獲產生影響,從而使得電子-空穴的複合率得到極大的提高,這對於提高發光二極管的效率非常有用。而且,傾斜的能帶趨向於改變向着結區移動的載流子的遷移率。