圖像反轉

在曝光小尺寸圖形時，傾向於使用正膠。正膠適於使用暗場掩模版做孔洞。暗場掩模版大部分被鉻覆蓋，因為鉻不會像玻璃一樣易損，所以缺陷比拋光較少。然而，一些掩模版用來曝光島區。而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區圖形。

在曝光結束後，光刻膠裏的圖像與想要得到的圖像是相反的，也就是説，如果拋光接着顯影的話，會得到孔洞而不是島區。 ^[1] 

圖像反轉工藝的主要步驟為將塗膠的晶圓放置在有氨蒸氣的真空烘箱中。氨蒸氣穿透光刻膠，拋光改變其極性。將晶圓從真空烘中取出，再進行泛光曝光，從而完成了整個圖像反轉工藝。氨氣烘焙和泛光曝光的效果是改變曝光區域和非曝光區域的相對分解率，在接下來的顯影步便可以實現。這一工藝可以實現與非圖像翻轉工藝同樣的分辨率。