拋光

拋光材料，拋光蠟(4張)

化學拋光是金屬表面通過有規則溶解達到光亮平滑。在化學拋光過程中，鋼鐵零件表面不斷形成鈍化氧化膜和氧化膜不斷溶解，且前者要強於後者。由於零件表面微觀的不一致性，表面微觀凸起部位優先溶解，且溶解速率大於凹下部位的溶解速率；而且膜的溶解和膜的形成始終同時進行，只是其速率有差異，結果使鋼鐵零件表面粗糙度得以整平，從而獲得平滑光亮的表面。拋光可以填充表面毛孔、劃痕以及其它表面缺陷，從而提高疲勞阻力、腐蝕阻力 ^[1]  。

電化學拋光也稱電解拋光。電解拋光是以被拋工件為陽極，不溶性金屬為陰極，兩極同時浸入到電解槽中，通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解，從而使工件表面光亮度增大，達到鏡面效果。

化學(或電化學)除油→熱水洗→流動水洗→除鏽(10%硫酸)→流動水洗→化學拋光→流動水洗→中和→流動水洗→轉入下道表面處理工序

工作環境：傳統拋光工藝工作環境惡劣，拋光過程中產生沙粒，鐵屑，粉塵等，嚴重污染環境；

.加工效率：人工拋光；

鋪料消耗：拋光需要消耗拋光輪、磨料、砂帶等輔料；

適應性：拋光可以加工平面等簡單的型面，對於曲面無法加工。如果加工R弧，曲面等複雜型面。

鋼鐵零件化學拋光，可以作為防護裝飾性電鍍的前處理工序，也可以作為化學成膜如磷化發蘭的前處理工序。如不進行電鍍或化學成膜，而直接應用，可噴塗氨基清漆或丙烯酸清漆，烘乾後有較好的防護裝飾效果。若噴漆前浸防鏽鈍化水劑溶液，抗蝕防護性將會進一步提高。

工具：拋光機、羊毛盤、海綿盤、超細纖維布、遮蔽膜、遮蔽膠帶。

材料：砂紙、拋光粗蠟，鏡面蠟

拋光作用：去除油漆表面氧化層、淺層的劃痕、氧化造成的漆面失光等影響漆面外觀的問題。

拋光用力原則：初始拋光時使用中等偏上壓力,使蠟有較好的切削力,後續收光可放鬆壓力;拋光面積以一臂距 離為準，拋光完畢後及時擦除殘餘蠟斑。

1、 研磨：通過表面預處理清除漆面上的污物，消除嚴重氧化、細微劃痕及表面缺陷，工藝大多采用水砂紙去除表面瑕疵，一般使用3M 1500-2500皇牌水砂紙。

隨着人工成本的提高，水磨砂紙研磨效率不高，使用後砂紙痕較重的問題開始凸顯，一些主流高端站開始採用3M 金字塔砂紙，P1500和P3000砂紙，使用幹磨機半濕磨的方式進行研磨，無砂紙痕的殘留，機械化操作，可極大的提高拋光效率。具體步驟如下：

a, 缺陷去除。漆面噴灑少量水，使用P1500金字塔砂紙配合幹磨機整體上下左右各一遍，漆面呈亞光狀態；打磨後，使用橡膠刮水板刮除表面的白沫，觀察漆面，找出突顯的缺陷，再在砂碟上噴灑少量水，去除缺陷。

b, 漆面過細。使用幹磨機配合P3000金字塔砂碟和幹磨軟墊過細打磨過的漆面，在砂碟和漆面上噴灑一定量的水，以較快的移動速度，按上下左右順序各兩道打磨整個漆面。打磨後，使用橡膠刮水板刮除表面水和白沫。

質量標準：漆面上無氧化層、劃痕等缺陷

2、拋光：拋光是研磨後進一步平整漆面。除去研磨殘餘條紋，拋光劑使漆面光澤度自然呈現。

2.1 粗蠟拋光：砂紙研磨後進一步去除表面砂紙痕，恢復漆面平整度和初始光澤。

將蠟均勻塗抹在一定漆面區域內（單次拋光面積在一臂展長寬範圍內為宜）拋光機轉速控制在1200-2000轉之間。初期以中等偏上的壓力壓住拋光盤均速拋光漆面，觀察漆面，待砂紙痕明顯拋除後放松壓力將蠟痕拋開，回覆漆面一定的光澤。拋光後應使用超細纖維布擦拭乾淨漆面殘留的粗蠟和粉塵。

質量標準：去除砂紙在漆面上造成的砂紙痕，漆面呈現處部分光澤。

2.2 鏡面拋光：去除粗蠟拋光殘留的圈紋，恢復車漆的原有光澤。

質量標準：漆面無明顯圈紋，出現鏡面效果，光澤度比拋光前得到有效改善。

3、還原：找回車漆的本來面目，恢復新車般的狀態。

質量標準：光澤度明顯比拋光前得到改善，倒影清晰可見。

為了確定使用研磨劑的種類，需對漆面問題進行判斷。在不明顯處的小塊面積使用研磨劑。研磨劑優先選用輕度研磨劑，如果漆面缺陷較嚴重，考慮選用中度或重度研磨劑。

1、 拋光時必須堅持“寧可慢，不可快，寧輕，勿重”的原 則，避免拋露底漆。

2、 把電線背起來，以免傷人、傷機、纏線，嚴禁電線接觸。

3、 拋光蠟可先倒在漆面上均勻分散，防止漆面飛濺。

4、 漆面拋光前建議先用洗車泥擦拭，去除油漆表面附着的表層顆粒和污染物。

5、 拋前機蓋時，用大毛巾或者是遮蔽膜蓋住前擋玻璃，避免拋光蠟沾在玻璃密封條與雨刮器上難以擦除。

6、 拋光蠟均勻塗在羊毛盤或海綿盤上，防止飛濺、浪費材料。

7、 使用完畢後正確放置機器，兩手柄支地，毛輪朝上。

CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光。CMP技術所採用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、後CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。

CMP技術的概念是1965年由Monsanto首次提出。該技術最初是用於獲取高質量的玻璃表面，如軍用望遠鏡等。1988年IBM開始將CMP技術運用於4MDRAM 的製造中，而自從1991年IBM將CMP成功應用到64MDRAM 的生產中以後，CMP技術在世界各地迅速發展起來。區別於傳統的純機械或純化學的拋光方法，CMP通過化學的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光。

CMP拋光液是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品，廣泛用於多種材料納米級的高平坦化拋光。

1. 機械拋光 機械拋光是靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光後的凸部而得到平滑面的拋光方法，一般使用油石條、羊毛輪、砂紙等，以手工操作為主，特殊零件如迴轉體表面，可使用轉枱等輔助工具，表面質量要求高的可採用超精研拋的方法。超精研拋是採用特製的磨具，在含有磨料的研拋液中，緊壓在工件被加工表面上，作高速旋轉運動。利用該技術可以達到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各種拋光方法中最高的。光學鏡片模具常採用這種方法。

2. 化學拋光 化學拋光是讓材料在化學介質中表面微觀凸出的部分較凹部分優先溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優點是不需複雜設備，可以拋光形狀複雜的工件，可以同時拋光很多工件，效率高。化學拋光的核心問題是拋光液的配製。化學拋光得到的表面粗糙度一般為數10μm。

3. 電解拋光 電解拋光基本原理與化學拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學拋光相比，可以消除陰極反應的影響，效果較好。電化學拋光過程分為兩步： (1) 宏觀整平 溶解產物向電解液中擴散，材料表面幾何粗糙下降，Ra>1μm。 (2) 微光平整 陽極極化，表面光亮度提高，Ra<1μm。

4. 超聲波拋光 將工件放入磨料懸浮液中並一起置於超聲波場中，依靠超聲波的振盪作用，使磨料在工件表面磨削拋光。超聲波加工宏觀力小，不會引起工件變形，但工裝製作和安裝較困難。超聲波加工可以與化學或電化學方法結合。在溶液腐蝕、電解的基礎上，再施加超聲波振動攪拌溶液，使工件表面溶解產物脱離，表面附近的腐蝕或電解質均勻；超聲波在液體中的空化作用還能夠抑制腐蝕過程，利於表面光亮化。

5. 流體拋光 流體拋光是依*高速流動的液體及其攜帶的磨粒沖刷工件表面達到拋光的目的。常用方法有：磨料噴射加工、液體噴射加工、流體動力研磨等。流體動力研磨是由液壓驅動，使攜帶磨粒的液體介質高速往復流過工件表面。介質主要採用在較低壓力下流過性好的特殊化合物並摻上磨料製成，磨料可採用碳化硅粉末。

6. 磁研磨拋光 磁研磨拋光是利用磁性磨料在磁場作用下形成磨料刷，對工件磨削加工。這種方法加工效率高，質量好，加工條件容易控制，工作條件好。採用合適的磨料，表面粗糙度可以達到Ra0.1μm。

1、第一種是物理研磨

這種研磨顆粒呈不規則菱形狀，粗中細級別都有，去氧化和劃痕效果相當不錯，是市面主流研磨拋光技術；而帶稜角的粗研磨劑往往造成二次細微劃痕，需要更細一級的研磨劑二次以上研磨，程序複雜，同時不可避免的傷及漆面。經常使用這種研磨產品和技術，讓漆面像吸毒般的依賴拋光打蠟，清漆層已越拋越薄，原車漆光亮度黯然失色

2、第二種是物理+覆蓋研磨

剛拋完的粗中劃痕消失，有光亮效果，但在太陽光下有明顯細微劃痕和旋光，原因：部份劃痕被蠟或樹脂油性成份填補，而非真正去除；油性過大，拋光毛球行走紋路產生旋光。這種拋光方式極易在洗二三次車後劃痕重現，具有較強的欺騙性。不知就理的店主和技師將非常煩惱！

3、第三種是比較頂級和少見的研磨技術

延時破碎拋光技術，研磨劑呈玻珠圓狀，不會造成二次研磨劃痕，同時漆面的温度較低；當拋光毛球高速運轉與研磨劑產生一定的温度時，使研磨顆粒瞬間破碎,形成更細顆粒，有效對細微深層拋光，一步到位,越拋越亮，這種拋光技術即保證了效果，也最大限度的杜絕了拋光對漆面的傷害（拋光必有傷害）！同時這類研磨劑不含蠟或樹脂油性成份，拋出的光澤是漆面深邃的原漆光澤，冷光質感今人驚豔。