原子擴散係數

對於晶體中原子的擴散，擴散係數D與温度T有指數關係 [關係着熱缺陷的產生和運動]：D=Do exp(－Ea/kT)，其中Ea是原子擴散的激活能。

在Si中B、P原子的擴散，是屬於代位式原子的擴散，需要通過晶體熱缺陷的產生和運動來實現。因此，這種原子的擴散通常需要在較高的温度下才能進行。正因為如此，所以要在Si中摻入雜質硼、磷等時就需要採用較高的擴散温度——高温（熱）擴散。

只有那些半徑較小的原子（例如Si中的Au原子），在固體中是通過晶格間隙來擴散的，這種原子稱為間隙式原子，不需要藉助於熱缺陷的產生來擴散，所以擴散温度才比較低。

對於半導體中的載流子，擴散係數也是表徵其擴散快慢的一個物理量，但是從擴散機理上來説，它與原子的擴散完全不同。載流子的擴散係數與温度的關係，可由Einstein關係給出為：D=(kT/q)μ，式中μ是載流子遷移率（也與温度有關）。

對於原子或分子在氣體中的擴散，各種氣體的擴散係數在室温下都大約為1cm2/s數量級，並且隨着絕對温度的平方而增大。