卓以和

1937年，卓以和出生於北京，祖籍福建省福州市。 ^[8] 

卓以和(2張)

1949年，至香港，曾就讀於培正中學。

1955年，赴美留學。

1960年，畢業於美國伊利諾斯大學。

1961年，獲伊利諾伊大學碩士學位。

1968年，獲伊利諾伊大學博士學位。

1985年，當選為美國科學院院士；同年，當選為美國工程院院士。

1989年，當選為美國科學與藝術院院士。

1996年，當選為中國科學院外籍院士。 ^[1] 

2009年2月11日，美國專利商標局公佈2009年度入選“全國發明家名人堂”的名單，卓以登上“美國發明家名人堂”。 ^[2] 

卓以和(2張)

卓以和對Ⅲ－V族化合物半導體、金屬和絕緣體的異質外延和人工結構的量子阱、超晶格及調製摻雜微結構材料系統地開展了大量先驅性的研究工作。用研製的新材料，最先研究成功10多種極為重要的、性能優異的新型微波高速電子器件和光電子器件。他又領導AT&TBell實驗室半導體研究所的合作者，開創性地研製成功量子阱級聯式新型激光器，被認為是半導體激光器發展中的又一個里程碑。 ^[1] 

卓以和認為要在學業上取得成功，“要有充足的自信心，並堅持向着你的目標努力才能使你的工作成功；要保持樂觀精神，多看一下每一件事的正面。另外，還要做你喜歡的事，這樣才能在做事的過程中找到樂趣。” ^[3] 

卓以和直言不諱地指出，中國評審制度要從四方面改善：不是隻以發表學術期刊文章數量為標準；真正創新基礎研發不一定要在科學期刊上發表；不能期待要在短期內就能賺大錢，想要在三年內把所有錢回收；科學規劃和評審要多吸收無切身利害關係的科學家參加，防止利益交換。

他還談到令人擔憂的新生代研發文化：年輕一代的研究員只想要知道，“我”做了這個對我有什麼利益，能不能幫我升官發財，工作時間只是早9點到晚5點，有太多時間玩，對研發沒有一種願投一生努力與熱愛的態度。 ^[4] 

2014年，卓以和被聘為國務院僑辦第四屆海外專家諮詢委員會委員。 ^[6] 

卓以和的父親卓宜來畢業於哥倫比亞大學，曾在中國燕京大學教授政治學，併為著名銀行家。 ^[7] 

卓以和是國際公認的分子束外延、人工微結構材料生長和新型器件研究領域的奠基人與開拓者，對中國發展分子束外延技術極為關切，給予了關鍵性指導，與中國同行建立了深厚友誼，對促進中美兩國學術交流，提高中國在國際學術界的地位和影響作出了重要貢獻。 ^[3]  （中國科學院評）

在中國傳統文化禮教影響下，卓以和有着温文敦厚的言行舉止及謙和無私的個性，因而受到同事們一致的尊崇愛戴。 ^[5]  （中國網評）

2004年，MBE羣體捐贈出一筆資金成立“卓以和獎”，每隔一年的9月初，在MBE國際大會上頒發。 ^[6]