半絕緣砷化鎵

電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償硅等淺施主來生長半絕緣單位，現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非摻雜電子遷移率半絕緣單晶。為高速、高頻器件及電路、光電集成電路的重要襯底材料。也可以用作二氧化碳激光器的耦合輸出窗口。