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半導體電化學
鎖定
- 中文名
- 半導體電化學
- 定 義
- 半導體在電解質中的電化學行為
- 代表人物
- A. -E.貝可勒爾
- 出現時間
- 1893年
半導體電化學簡史
1839年A. -E.貝可勒爾首先報道半導體-電解質溶液界面有光電效應。1953年W.H.布喇頓和C.G.B.加雷特研究鍺-電解質溶液界面的半導體表面結構和兩種載流子在不同電極反應中的規律,帶動了鍺的電化學行為研究的高潮。此後陸續開展了硅、氧化鋅、硫化鎘、金屬間化合物、過渡金屬(鉬、鎢)硫化物等的研究,70年代後期又發展了三元半導體的電化學和太陽能對半導體電化學作用的研究。
半導體電化學特點介紹
在半導體電化學中,如在半導體電極材料中引入少量雜質會使電子結構發生劇烈變化,但對化學性質並不影響。而在金屬的電化學中,改變金屬則化學性質和電子結構同時變化。半導體電極的自由電荷濃度很低,電場能深入到半導體內部形成空間電荷區。電極反應的速率由電極表面自由載流子的濃度決定,也受光照和自由載流子複合過程的影響。
半導體-電解質溶液界面的雙層與金屬-電解液界面的雙層不同,半導體的自由電荷濃度低,使電極表面形成空間電荷層。雙電層的結構、電位分佈以及電荷分佈見圖1、圖2、圖3。緊密層的厚度僅1埃,而空間電荷層的厚度則在 100埃到幾個微米,這由界面電場和電荷的擴散決定。
半導體電化學研究內容
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