劉劍

1988年吉林大學畢業後加入中國科學院半導體所，先後參加了“七五”國家、科學院重大基金項目，“八五”攀登計劃項目“低維半導體量子輸運”相關課題的研究工作；

1995年5月赴奧地利維也納技術大學固態電子學研究所做訪問學者；

1997年3月赴英國伯明翰大學物理系學習並獲碩士學位；

1998年5月開始在德國亞琛工業大學、維爾茨堡大學物理系學習和工作，

2003年獲維爾茲堡大學自然科學博士學位並從事博士後研究工作；

2005年3月起任中國科學院半導體研究所研究員 ^[1]  。

圖像傳感器及微納米結構製作工藝技術 ^[1]  。

1.半導體低維電子系統的輸運現象及其在新型量子器件方面的應用：研究GaAs/AlAs雙勢壘中的G-C電子態混合引起的磁隧穿振盪，GaAs/AlGaAs短週期超晶格中微帶輸運與Si雜質相關輸運之間的一種新Fano共振隧穿機制，朗道能級間的級聯共振隧穿現象及THz源應用。

2.發展了以微製作工藝手段獲得金屬納米團簇線的方法，研究金屬納米團簇在室温單電子器件方面的應用；成功製作了小於50納米的金點接觸結，研究金屬、Spin-glass納米點接觸相關輸運現象，觀察到聲子譜和雜質相關的零偏壓電導異常。

3.窄禁帶稀釋磁性半導體微結構的自旋輸運：研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相關的Rashba自旋-軌道耦合效應增強現象，HgMnTe磁性二維電子氣中Rashba效應、塞曼分裂和交換作用的競爭機制以及奇數填充的反常量子霍爾效應。

4.NiMnSb半金屬薄膜材料的自旋輸運和TMR器件研究，CoFe/AlO/NiMnSb器件室温TMR達8.7%。

5.研究CMOS圖像傳感器消除圖像拖尾現象、降低噪聲的物理機制。 ^[1]