前道工藝

集成電路是依靠所謂的平面工藝一層一層製備起來的。對於邏輯器件，簡單地説，首先是在 Si襯底上劃分製備晶體管的區域(active area)，然後是離子注入實現N型和P型區域，其次是做柵極，隨後又是離子注入，完成每一個晶體管的源極(source)和漏極(drain)。這部分工藝流程是為了在 Si 襯底上實現N型和P型場效應晶體管，又被稱為前道(front end of line，FEOL)工藝。