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刻蝕工藝

鎖定
刻蝕(Etch)的目的是將光刻得到的光刻膠圖形轉移到晶圓表面的薄膜上,即利用光刻膠膜的覆蓋和保護作用,以化學反應或物理作用的方式去除沒有光刻膠保護的薄膜,完成圖形轉移的目的。
中文名
刻蝕工藝
幹法刻蝕
70年代末
方    法
離子銑等離子刻蝕反應離子刻蝕

目錄

  1. 1 分類

刻蝕工藝分類

刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕工藝和幹法刻蝕工藝。
濕法刻蝕工藝是一個純粹的化學反應過程,它是利用化學試劑,與被刻蝕材料發生化學反應生產可溶性物質或揮發性物質。其優點是選擇性高、重複性好、生產效率高、設備簡單、成本低。缺點是缺乏各向異性、工藝控制能力差、過度的顆粒污染。
圖1示意了典型的濕法工藝過程。晶圓通常放置在濕法槽中,通過控制溶液的配比、温度和反應時間來實現化學反應。反應完成後,將晶圓從槽中取出,經沖洗去除表面殘餘液體,然後進行甩水和烘乾,從而完成整個濕法工藝。在這個過程中,可以控制的參數包括溶液的配比、温度、反應時間等,但總體而言,濕法工藝的控制能力較差,因為它是一種化學反應,缺乏各向異性,即橫向和縱向的刻蝕速率基本一致。因此,到目前為止,濕法刻蝕通常只在一些非關鍵尺寸的任務中使用,而在關鍵尺寸的任務中,通常採用幹法工藝。
圖1 典型的濕法刻蝕工藝示意圖 圖1 典型的濕法刻蝕工藝示意圖
幹法刻蝕工藝是採用等離子體進行圖形轉移的技術。等離子體是物質的第四態,指的是部分或完全電離的中性氣體,通常包括電子正負離子中性粒子(包括激發態和基態的中性粒子)、自由基以及光子等組成,等離子體中帶正電和帶負電的粒子數量幾乎相等,因而對外整體是呈電中性的。
幹法刻蝕與濕法刻蝕相比優點有:
  1. 刻蝕剖面是各向異性,具有非常好的側壁控制;
  2. 良好的關鍵尺寸(CD)控制;
  3. 最小的光刻膠脱落或粘附問題;
  4. 良好的片內、片間、批次間的刻蝕均勻性;
  5. 較低的化學制品使用和處理費用。
然而幹法刻蝕也存在一些缺點,最主要的是對下層材料選擇比不高、等離子體帶來的器件損傷以及昂貴的設備。根據原理的不同,幹法刻蝕工藝可分為濺射與離子銑刻蝕、等離子體刻蝕和反應離子刻蝕。 [1-2] 
圖2 幹法刻蝕工藝按原理進行分類 圖2 幹法刻蝕工藝按原理進行分類
參考資料
  • 1.    《半導體制造技術》Michael Quirk等著,韓鄭生等譯(電子工業出版社 2009)
  • 2.    《微納尺度製造工程》坎貝爾著(電子工業出版社 2011)