切納帕蒂·賈格迪什

1957年8月10日，切納帕蒂·賈格迪什出生於印度安得拉邦。 ^[6-7] 

1974年—1977年，就讀於印度納加爾朱納大學（Nagarjuna University）物理（半導體薄膜）專業，畢業獲學士學位。

1977年—1980年，就讀於印度安得拉大學（Andhra University）物理（半導體薄膜）專業，畢業獲科學碩士學位。

1981年—1982年，就讀於印度德里大學應用物理專業，畢業獲哲學碩士學位。

1983年—1986年，就讀於印度德里大學物理專業，畢業獲博士學位。

1985年8月—1988年4月，任印度德里大學電子和物理講師。

1988年4月—1990年6月，在加拿大女王大學從事博士後研究工作。

1990年7月—1999年7月，歷任澳大利亞國立大學物理科學與工程研究學院電子材料工程系研究科學家（Research Scientist）、博士後研究員（Research Fellow）、研究員（Fellow）、高級研究員（Senior Fellow）。

1999年7月—2004年11月，任澳大利亞國立大學教授（E1級、E2級）、半導體光電與納米技術組組長。

2002年，當選為澳大利亞技術科學與工程學院院士。

2004年11月—2009年11月，任澳大利亞國立大學Federation Fellow、教授（E2級）、半導體光電與納米技術組組長。

2005年，當選為澳大利亞科學院院士。

2009年11月，任澳大利亞國立大學Australian Laureate Fellow、傑出教授（E3級）、半導體光電和納米技術組組長。

2013年，當選為發展中國家科學院院士、亞太材料科學院院士。

2014年，當選為美國電磁科學院院士。

2015年，當選為美國國家發明家學院院士。

2017年，當選為印度科學院榮譽院士、安得拉邦科學院榮譽院士。

2018年，當選為印度國家科學院外籍院士、印度國家工程院外籍院士。

2019年，當選為歐洲科學院外籍院士。

2020年，當選美國國家工程院外籍院士。

2022年，當選英國皇家工程院外籍院士。

2022年，任澳大利亞科學院主席。

2023年11月，當選中國科學院外籍院士。 ^[1-2] 

切納帕蒂·賈格迪什的研究方向涵蓋化合物半導體光電子學、納米技術、光伏和材料科學等。 在化合物半導體納米技術方面，研究內容包括量子點和納米線的外延生長、量子點和納米線的光學和電子過程、納米光電子學和納米光子學；在化合物半導體光電（III-V族半導體）方面，研究內容包括量子阱、量子點和納米線激光器，量子阱和量子點紅外光電探測器，可飽和吸收器、光調製器、波導和開關，光子集成電路、太赫茲光子學和光子晶體，等離激元和超材料；在化合物半導體材料科學方面，研究內容包括III-V族半導體的外延生長，半導體缺陷（離子注入、等離子體處理），氧化鋅 - 摻雜、缺陷和加工，選擇性區域外延、量子阱/點混合；在高效化合物半導體光伏方面，研究內容包括高效多結 III-V 族半導體太陽能電池、新型量子點 III-V 族半導體太陽能電池、用於太陽能電池的 III-V 半導體納米線。 ^[3] 

據2023年11月澳大利亞國立大學網站數據，切納帕蒂·賈格迪什共發表50餘篇期刊論文、280餘篇會議論文，16篇評論文章，合著1部專著 ，合編15部專著，合編13本會議記錄，合著13篇專著章節。 ^[2] 

據2023年11月澳大利亞國立大學網站數據，切納帕蒂·賈格迪什擁有6項美國專利和1項澳大利亞專利。 ^[2] 

據2023年11月澳大利亞國立大學網站數據，切納帕蒂·賈格迪什共指導64名學生獲得博士學位，指導博士後、研究員等50餘名。 ^[2] 

切納帕蒂·賈格迪什是半導體光電研究領域公認的世界領先者。（Jagadish is an acknowledged world leader in the research field of semiconductor optoelectronics. ）（澳大利亞科學院評 ^[4]  ）

切納帕蒂·賈格迪什教授是將納米技術應用於半導體光電源和探測器的先驅。他在半導體激光器、光電集成和納米線器件方面做出了重大貢獻。（Professor Chennupati Jagadish is a pioneer in applying nanotechnology to semiconductor optoelectronic sources and detectors. He has made significant contributions to semiconductor lasers, optoelectronic integration and nanowire devices.）（英國皇家工程學會評 ^[5]  ）