共柵極

場效應管和晶體三極管一樣，也可以構成三種基本組態：共源、共柵、共漏放大器。共柵放大電路與晶體三極管共基放大電路相對應，柵極是輸入迴路和輸出迴路的公共端，故稱為共柵放大電路。共柵放大電路的特點是電壓放大倍數大，輸入輸出電壓 同相，輸入電阻小，輸入電容小，輸出電阻大。

半導體晶體三極管都具有放大電子信號的功能。只要使它們 工作在放大區，即構成電子放大器。其中，晶體三極管能構成 “共發射極放大電路”、“共集電極放大電路” 和 “共基極放大電 路”。場效應三極管能構成“共源極放大電路”、“共漏極放大電 路” 和 “共柵極放大電路”。所説“共”，即晶體三極管的某一極為輸入、輸出迴路公有。 以該公有點為一極，構成晶體三極管的輸入/輸出工作迴路。單級放大電路的放大能力有限。為了增強放大功能放大器是 由多級組成的，其級間是以耦合的方式連接的。耦合的方式分為直接耦合、阻容耦合和變壓器耦合。所説耦 合是上、下級電路的技術參數相互匹配，損耗最小，效果最好， 級間的干擾最少。

場效應晶體管（Field Effect Transistor）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管具有噪聲低、熱穩定性好及抗輻射能力強等優點，其應用越來越廣泛 ^[1]  。

在電子學中，共源極（common-source）放大器是場效應管（field-effect transistor (FET)）放大器電路的三種基本組成方式之一（另外兩種為共柵極和共漏極），通常被用在電壓或跨導放大器中。辨識一個場效應管放大器電路是共源極、共柵極還是共漏極的簡易方法為，檢查信號輸入和輸出的通路，剩餘的那一端即為“公共端”。在例子中，信號從柵極進入，從漏極離開。剩餘的一端為源極，因此它是共源極。在雙極性晶體管中，類似的概念稱作共射極。

在電子學中，共漏極（common-drain）放大器電路，是場效應管（field effect transistor (FET)）三種基本接法之一（另外兩種分別是共源極和共柵極），常被用作電壓跟隨器。這種電路的柵極被用作輸入端，源極充當輸出端，而漏極作為公共端，電路因此得名。在雙極性晶體管中，類似的概念稱作共集極。