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俄歇電子能譜學

鎖定
俄歇電子能譜學(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學材料科學分析技術。因此技術主要藉由俄歇效應進行分析而命名之。產生於受激發原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使後者逃脱離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脱出來的電子稱為俄歇電子。1953年,俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用於鑑定樣品表面的化學性質及組成的分析。其特點是俄歇電子來自淺層表面,僅帶出表面的資訊,並且其能譜的能量位置固定,容易分析。
中文名
俄歇電子能譜學
外文名
Auger electron spectroscopy
領    域
物理學,光學

俄歇電子能譜學簡介

俄歇電子能譜學(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學材料科學分析技術。因此技術主要藉由俄歇效應進行分析而命名之。產生於受激發原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使後者逃脱離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脱出來的電子稱為俄歇電子。1953年,俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用於鑑定樣品表面的化學性質及組成的分析。其特點是俄歇電子來自淺層表面,僅帶出表面的資訊,並且其能譜的能量位置固定,容易分析。 [1] 

俄歇電子能譜學紫外光電子能譜學

紫外光電子能譜學UltravioletPhotoelectronSpectroscopy,UPS)是指通過測量紫外光照射樣品分子時所激發的光電子能量分佈,來確定分子能級的有關信息的譜學方法。 [1] 

俄歇電子能譜學X射線光電子能譜學

X射線光電子能譜學(英文:X-ray photoelectron spectroscopy,簡稱XPS)是一種用於測定材料中元素構成、實驗式,以及其中所含元素化學態和電子態的定量能譜技術。這種技術用X射線照射所要分析的材料,同時測量從材料表面以下1納米到10納米範圍內逸出電子的動能和數量,從而得到X射線光電子能譜X射線光電子能譜技術需要在超高真空環境下進行。
XPS是一種表面化學分析技術,可以用來分析金屬材料在特定狀態下或在一些加工處理後的表面化學。這些加工處理方法包括空氣或超高真空中的壓裂、切割、刮削,用於清除某些表面污染的離子束蝕刻,為研究受熱時的變化而置於加熱環境,置於可反應的氣體或溶劑環境,置於離子注入環境,以及置於紫外線照射環境等。
XPS可以用來測量:
  • 表面的元素構成(通常範圍為1納米到10納米)
  • 純淨材料的實驗式
  • 不純淨表面的雜質的元素構成
  • 表面每一種元素的化學態和電子態
  • 表面元素構成的均勻性
進行X射線光電子能譜技術可以採用商業公司或個人製造的XPS系統,也可採用一個基於同步加速器的光源和一台特別設計的電子分析器組合而成。商業公司製造的XPS系統通常採用光束長度為20至200微米的單色鋁Kα線,或者採用10至30微米的複色鎂射線。某些經特殊設計的少數XPS系統可以用於分析高温或低温下的揮發性液體和氣體材料,以及在壓強大約為1託的真空下進行工作,但這類XPS系統通常都相對少見。 [2] 

俄歇電子能譜學參見

參考資料
  • 1.    Thompson, Michael; M. D. Baker; A. Christie; J. F. Tyson. Auger Electron Spectroscopy. Chichester: John Wiley & Sons. 1985. ISBN 0-471-04377-X.
  • 2.    An Introduction to Surface Analysis by XPS and AES, J.F.Watts, J.Wolstenholme, published by Wiley & Sons, 2003, Chichester, UK, ISBN 978-0-470-84713-8