何力

1982-07--1985-07 日本東京電氣通訊大學電子工程系 碩士

1985-07--1988-02 日本北海道大學電機工程系 博士

1990-11~1990-12,中科院上海技術物理研究所, 所長、研究室主任

1990-12~1992-12,德國維爾茨堡大學物理所, 德國洪堡基金會研究員

1992-12~1994-12,美國普渡大學電氣工程系, 博士後 ^[4] 

歷任中科院上海技物所半導體薄膜材料中心主任、紅外物理國家重點研究實驗室副主任、功能材料器件研究發展中心主任等職。 ^[3] 

2004-09~2008-06,中科院上海技術物理研究所,副所長 ^[6-7] 

2008-06~2013-07,中科院上海技術物理研究所,所長 ^[7-8] 

2019-12~,上海市政府參事 ^[5] 

長期從事化合物半導體薄膜材料及碲鎘汞紅外探測器研究工作。 ^[3] 

研究工作主要集中在新型紅外探測器複雜結構材料的設計、實現工藝和性能評價，特別是第三代紅外成像探測器技術相關的基礎理論研究、基礎材料和芯片加工技術研究等方面的研究工作。 ^[1] 

參加、合作主持了國家“863”高技術計劃的研究工作。主持國家傑出青年科學研究基金、上海市科學研究基金以及中國科學院院長基金的有關Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料的項目研究。在國家“九五”計劃中，主持國家半導體光電子薄膜材料的重點研究項目。他以及合作者通過一系列科技創新，在短期內使我國Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料水平迅速獲得提高，在國內首次製備出大面積、高性能、均勻的碲鎘汞薄膜材料，突破了過去材料製備工藝穩定性、材料參數的可重複性十分低下的難點，獲得了大於97%的長晶以及組合合格率，性能達到國際最好水平。材料的大面積均勻性、P型材料的電學參數優於國際近年報道的最好水平；材料生長可重複性指標以及位錯密度指標等為國標用同類襯底製備材料的先進水平。該成果通過了中國科學院以及國家“863”專家組的聯合鑑定，受到好評，該項目獲1997上海市科技進步一等獎。在藍綠激光器研究中解決了歐姆接觸關鍵技術，處於當時的國際領先地位，獲得了2項美國專利，得到國際同行的高度重視，被國際上幾乎所有Ⅱ—Ⅵ族激光器研製單位採用至今。他首次提出了利用GaAs同質外延技術抑制層錯缺陷、提高激光器壽命的方法，這些技術仍然是藍綠激光研製的主要技術手段。

在國內外學術刊物、學術會議上發表論文110餘篇，獲美國專利1件。研究結果得到國際上的大量引用。根據1995年就其中12篇論文的國際聯機檢索結果，被引用達126次。他獲得了1994年國家首批傑出青年科學研究基金、中國科學院長特別基金、上海市優秀學科帶頭人資助計劃。 ^[2] 

1998年被科技部任命為國家“863”高技術計劃信息領域光電子技術主題專家組成員。

獲1997上海市科技進步一等獎

中國科學院長特別基金

上海市優秀學科帶頭人資助計劃 ^[2] 

（1）MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者

（2）MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 1 作者 ^[4] 

（1）先進焦平面技術導論, Introduction to advanced focal plane arrays, 國防工業出版社, 2011-01, 第 1 作者