低能電子顯微術

低能電子顯微術是新發展起來的一種顯微探測技術。它的特點是利用低能（1-30eV）電子的彈性背散射使表面實空間實時成像，具有高的橫向（15nm）和縱向（原子級）分辯率，且易與低能電子衍射及其他電子顯微術相結合 ^[1]  。

它已有效地應用於金屬和半導體表面的形貌觀測、表面相變、吸附、反應和生長過程的研究。

入射電子在樣品中的散射、二次電子的產生機制和低能電子逸出的能量閾值效應。在大能隙半導體或絕緣體中,低能電子的非彈性散射自由程顯著大於金屬,從而為納米材料的表徵提供了條件。綜述了低能電子顯微術(LEEM)、低能電子投影顯微術、彈道電子發射顯微術(BEEM)、光發射電子顯微術(PEEM)等低能電子顯微方法,介紹了這些方法得到的許多結果 ^[2]  。

應用電子顯微術———選區電子衍射和成像、高分辨電子成像和電子能量損失譜研究兩種材料的例子。電子衍射和相關理論的計算結果表明,0.2%碳鋼經923K,5.5h碳氮共滲油淬後的化合物層是εFe23(N,C),而不是εFe2(N,C)和εFe3(N,C);經523K,2h時效後化合物層中的"灰區"析出幾納米尺度的γFe4N是化合物層硬化的原因。高分辨電子成像和電子能量損失譜揭示了高温磁控濺射41%FeCo(體積分數,下同)Al2O3顆粒膜兩步相分離的演變過程及其對巨磁電阻的影響 ^[3]  。