任敏

教育背景

2002.09－2009.06 清華大學，微電子學與固體電子學，博士學位

工作履歷

2009.07－現在 電子科技大學

研究方向

研究內容1新型功率半導體器件

研究內容2功率半導體器件的抗輻射加固技術

研究條件

作為項目負責人承擔了國家科技重大專項（02專項）、國家自然科學基金、中國博士後基金等多項國家級和省部級項目。

研究方向

新型硅基功率半導體器件

功率半導體器件的抗輻射加固技術

研究條件

作為項目負責人承擔了國家科技重大專項（02專項）、國家自然科學基金、中國博士後基金等多項國家級和省部級項目。

代表性論

1. Ren Min, Li Ze-hong, Deng Guang-min, Zhang Ling-xia, Zhang Meng, Liu Xiao-long, Xie Jia-xiong, Zhang Bo. A Novel Superjunction MOSFET with Improved Ruggedness under Unclamped Inductive Switching. Chinese Physics B. 2012.

2. Ren Min, Li Ze-hong, Liu Xiao-long, Xie Jia-xiong, Deng Guang-min, Zhang Bo. A Novel Planar VDMOS with Inhomogeneous Floating Islands. Chinese Physics B. 2011

3.M. Ren, G. M. Deng, M. Zhang, L. X. Zhang, Z. H. Li, and B. Zhang An Avalanche Current Path Optimizing Method for Superjunction MOSFET to Enhance Unclamped Inductive Switching Capability，ICCCAS 2013, Chengdu，2013. 11

4.任敏，李澤宏，張波，鄧光敏，張帥，王飛，超結VDMOS器件的研究及最新進展。2011全國半導體器件產業發展、創新產品和新技術研討會。昆明，2011.8.9-8.10

5. Zehong Li,Min Ren, Shijiang Yu, Jinping Zhang, Bo Zhang, Innovative Buried Layer Rectifier with 0.1V Ultra-low Conduction Threthold Voltage. The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Belgium. 2012. Page(s): 105 - 108 (EI)

6. Li Zehong,Ren Min, Zhang Bo, Ma jun, Hu tao, Zhang shuai, Wang fei, Chen jian. Above 700v superjuction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth, Journal of Semiconductors. Vol. 31, No. 8, 084002, 2010. (EI)

出版刊物

1. 鄧寧，田立林，任敏《半導體器件基礎》（譯），清華大學出版社，2008年

學生培養

和業界多家知名企業、研究所有良好合作，如華潤微電子、華虹宏力半導體、華為、中電24所等。畢業生多數去往以上對口單位，也有畢業生前往美國、歐洲、香港等地繼續深造。

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