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二次電子像
鎖定
- 中文名
- 二次電子像
- 定 義
- 物質原子核外電子受到入射電子作用產生激發,以入射方向逸出樣品
二次電子像二次電子的特點
二次電子像二次電子成像
二次電子像主要是反映樣品表面10nm左右的形貌特徵,像的襯度是形貌襯度,襯度的形成主要取於樣品表面相對於入射電子束的傾角。
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如果樣品表面光滑平整(無形貌特徵),則不形成襯度;而對於表面有一定形貌的樣品,其形貌可看成由許多不同傾斜程度的面構成的凸尖、台階、凹坑等細節組成,這些細節的不同部位發射的二次電子數不同,從而產生襯度。
- 參考資料
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- 1. 徐軍; 陳文雄; 張會珍.高分辨二次電子像中的成分襯度[J].電子顯微學報.1997,16(1):1-5
- 2. 掃描電鏡二次電子及背散射電子成像技術 .中國科學院化學研究所:分析測試中心.2013-03-18[引用日期2014-08-04]