反饋

二次電子

二次電子：在入射電子束作用下被轟擊出來並離開樣品表面的樣品原子的核外電子叫做二次電子。二次電子一般都是在表層5~10nm深度範圍內發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。二次電子的能量較低，一般不超過50eV。大多數二次電子只帶有幾個電子伏的能量。

中文名: 二次電子
外文名: secondary electrons

要求: 入射電子束作用下
特點: 離開樣品表面的樣品原子
性質: 核外電子

二次電子基本介紹

二次電子（Secondary electrons），又稱次級電子，是描述物體表面被一主要輻射照射後，發射出的低能量產物電子。該主要輻射可以是具有足夠能量的離子、電子或是光子。二次電子屬於二次發射（en:Secondary emission）的一種。

二次電子產生

這是一種真空中的自由電子。由於原子核和外層價電子的結合力能很小，因此外層的電子比較容易和原子脱離，使原子電離。一個能量很高的入射電子射入樣品時，可以產生許多的自由電子，這些自由電子中90%是來自樣品原子外層的價電子。

二次電子能量

二次電子的能量較低，一般不超過50eV。大多數二次電子只帶有幾個電子伏的能量。

二次電子原理

電子在固體裏的非彈性平均自由徑（inelastic mean free path）通常是具有普遍性，也就是説無關於什麼材料。這個距離對金屬來説，通常是在幾個納米；對絕緣體來説，在幾十個納米，一般來説距離越小測量精度越高。而對低能量的電子（< 5 eV）來説，則有更長的平均自由徑。

二次電子應用

二次電子一般都是在表層5~10nm深度範圍內發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。

但二次電子的產額和原子序數之間沒有明顯的依賴關係，所以不能用它來進行成分分析。^[1]

二次電子的原理被應用在電子倍增管、光電倍增管、微通道板、法拉第杯與戴利偵測器等偵測元件，也用在掃描電子顯微鏡。

二次電子二次電子崩

二次電子崩：當初始電子崩發展到陽極時，初始電子崩中的電子迅速跑到陽極上中和電量。留下來的正離子作為正空間電荷使後面的電場受到畸變和加強，同時向周圍放射出大量光子。這些光子在附近的氣體中導致光遊離，在空間產生二次電子。它們在正空間電荷所畸變和加強了的電場的作用下，又形成新的電子崩，稱二次電子崩^[2] 。