丙硅烷

半導體硅膜製造、非晶硅製造。其熱分解可以產生半導體硅薄膜和納米線。

液體密度(-117.4℃)： 725kg/m3

氣體密度(0℃，101.325kPa)：4.15kg/m3

比熱容(氣體，27℃)： 1256.04J/(kg·K)

粘度(20℃)：0.00318 Pa·s

結構類似於丙烷

丙硅烷是Alfred Stock通過鹽酸和硅化鎂的反應制備並鑑定的。早在1857年，弗里德里希·沃勒（Friedrich Woehler）和海因裏希·布夫（Heinrich Buff）就已經探索了這種反應，並於 1902 年由亨利·莫伊桑（Henri Moissan）和塞繆爾·斯邁爾斯（Samuel Smiles）進一步研究。

丙硅烷在常温常壓下為可燃性有毒液體。它具有與甲硅烷類似的化學性質，但其反應性比甲硅烷和乙硅烷更強。在空氣中能自燃。它在空氣中的爆炸範圍不詳，但是可以估計、比甲硅烷的爆炸範圍還大。因此，當把它與空氣接觸時，為安全起見，必須把濃度控制存0.1%以下。它不溶於水，不與酸反應，但能與鹼反應生成硅酸和氫。與單體鹵素激烈反應。它無腐蝕性。丙硅烷的熱穩定性比甲硅烷差，靠其放電能量也可使其分解成Si和H₂。不過，利用其分解性質，可以用於生產非常薄的硅片，副產物是甲硅烷。反應如下：

Si₃H₈ = 2SiH₄ + Si

丙硅烷容器要存放在陰涼通風良好之處，要遠離熱源和火種，要與其它可燃性物質和腐蝕性藥品隔離，庫温不宜超過40℃，避免陽光直射。搬運時要輕裝輕卸，嚴防容器受撞擊。

着火時要切斷氣源，通惰性氣體以控制火勢，單純靠滅火劑來滅火是不行的。

排放丙硅烷廢氣時，必須是在完全分解之後排放，或者是在嚴格控制之下燃燒掉。具體的作法如下：

(1)導入液化石油氣等連續燃燒的火焰中，使其一同燃燒掉。

(2)通入鹼性水溶液中，使其全部水解。

(3)通入鹼金屬(Na、Li等)的低級醇溶液中(約0.5%)，使其水解。