SOI材料

這類材料是為了適應航空航天電子、導彈等武器系統的控制和衞星電子系統的需求而發展起來的。SOI材料具有以下突出優點：1、低功耗；2、低開啓電壓；3、高速；4、提高集成度；5、與現有集成電路完全兼容且減少工藝程序；6、耐高温；7、抗輻照從而減少軟件誤差。這些優點使得SOI技術在絕大多數硅基集成電路方面具有極其廣泛的應用背景，從而受到世界各大集成電路製造商和各國政府的高度重視，被國際上公認為“21世紀的硅基集成電路技術”。

SOI是“Silicon-on-insulator”的簡稱，中文譯為“絕緣體上硅”。國際上公認，SOI是21世紀的微電子新技術之一和新一代的硅基材料，無論在低壓、低功耗電路、耐高温電路、微機械傳感器、光電集成等方面，都具有重要應用。

上世紀90年代末，IBM大規模開展SOI技術的民用化，SOI被廣泛用於超速計算機服務器中，同時帶動國際上一批著名的跨國公司進入這項技術的開發。目前SOI技術已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約佔整個半導體材料市場的30%左右，預計到2010年將佔到50%左右的市場。Soitec公司（世界最大的SOI生產商）的2000年～2010年SOI市場預測以及2005年各尺寸SOI硅片比重預測了產業的發展前景。

2008年12月，在上海新傲科技有限公司研發平台上，通過技術創新，製備出我國第一片8英寸鍵合SOI晶片，實現了SOI晶片製備技術的重要突破。

SOI絕緣硅英國ICEMOS代理—北京特博萬德公司

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北京特博萬德科技有限公司獨家代理英國ICEMOSTECH的高品質SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。

SOI wafer尺寸: 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）and 8"（200mm）

SOI Spec. 規格：

1- Bonded SOI wafer (絕緣硅上鍵合硅片）

For 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）

---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,

---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.

For 8"（200mm）

---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,

---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2- Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接鍵合，可替代外延片

100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3- Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),

Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

and finally Through Silicon Via (TSV)

---- Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer

---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process

---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated

4- SOI + Trench & Refill

Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation

(DI) or junction isolation

Bulk quality top silicon layer

Total device-to-device isolation

Lower substrate capacitance than bulk

Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters

5- Superjunction MOSFET