tid

單位材料所受電離輻射劑量的總和，即稱為總劑量（TID）

總劑量效應

γ光子或高能離子在集成電路的材料中電離產生電子空穴對，電子空穴隨即發生複合、擴散和漂移，最終在氧化層中形成氧化物陷阱電荷或者在氧化層與半導體材料的界面處形成界面陷阱電荷，使器件的性能降低甚至失效。一旦一個器件因接受輻射而導致的能量積澱超過它的TID閾值，就會引起器件的永久性故障的效應，（在《星載計算機抗輻射加固技術研究》中也提到器件的TID效應在斷電後會有一定的退火現象，但是如果再加大劑量輻射，退火後的器件便很快就不能正常工作），因此衞星在軌期間應儘量避免TID效應的產生。