複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

rtd

(共振隧穿二極管)

鎖定
共振隧穿二極管(RTD)是基於量子共振隧穿效應的一種兩端負阻器件,它屬於一維量子化﹐能級間隙能△e遠大於充電能C (Ae>C)的固體納米器件,而具有納米量子器件典型的器件結構——勢壘包圍勢阱(或稱島)結構。 [1] 
中文名
共振隧穿二極管
別    名
RTD
參考資料
  • 1.    郭維廉,梁惠來,張世林,牛萍娟,毛陸虹,趙振波,郝景臣,魏碧華,張豫黔,宋婉華,楊中月. 共振隧穿二極管[J]. 微納電子技術(5):11-15,36.