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pn結耗盡層
鎖定
pn結耗盡層是半導體器件中採用最廣泛的一個概念，即認為pn結的空間電荷區是一個完全不存在載流子的區域，稱為pn結耗盡層；這實際上對於一般的pn結都是一種很好的近似。不管是在分析pn結的勢壘電容、還是分析pn結的擊穿特性時，無不採用這個耗盡層近似的概念，因為如果不採用該近似的話，問題就變得很複雜，幾乎難以進行精確的分析處理。
- 中文名
- pn結耗盡層
- 類 型
- 採用最廣泛的一個概念，
- 定 義
- 電子專用術語
- 特 點
- 存在有較強的內建電場
pn結的空間電荷區中存在有較強的內建電場，其中的載流子基本上都被該內建電場驅趕出去了，因此，通常可以認為空間電荷區中的電荷幾乎完全是由電離雜質中心所提供的，即主要是電離的施主和受主雜質中心的電荷，這種空間電荷區就稱為耗盡層（意即其中的載流子——電子和空穴都被耗盡了）。
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