pn結擊穿

擊穿電壓與半導體材料的性質、雜質濃度及工藝過程等因素有關。pn結的擊穿從機理上可分為雪崩擊穿、隧道擊穿和熱電擊穿三類。前兩者一般不是破壞性的，如果立即降低反向電壓，pn結的性能可以恢復；如果不立即降低電壓，pn結就遭到破壞。pn結上施加反向電壓時，如沒有良好散熱條件，將使結的温度上升，反向電流進一步增大，如此反覆循環，最後使pn結髮生擊穿。由於熱不穩定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿，此類擊穿是永久破壞性的。pn結擊穿是pn結的一個重要電學性質，擊穿電壓限制了pn結的工作電壓，所以半導體器件對擊穿電壓都有一定的要求。但利用擊穿現象可製造穩壓二極管、雪崩二極管和隧道二極管等多種器件。

形成反偏PN結擊穿的物理機制有兩種：齊納擊穿和雪崩擊穿。重摻雜的PN結由於隧穿機制而發生齊納擊穿， 在重摻雜PN結內，反偏條件下兩側的導帶和價帶離得很近，以致電子可以由P區直接隧穿到N區的導帶。