cmos

CMOS是集成電路的基本單元，其設計和結構經歷了數十年的進化歷程，始終遵從了摩爾定律。作為關於CMOS器件和製造的專業書籍，本書內容涵蓋了CMOS器件的發展歷史、技術現狀和未來發展趨勢，對於過去20年中進入量產的關鍵技術模塊給出了較為系統和深入的討論。 ^[1] 

第 1章 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管基礎

1.1 引言

1.2 MOSFET的工作原理

1.2.1 累積

1.2.2 耗盡

1.2.3 反型

1.2.4 強反型

1.3 MOSFET的品質因數

1.4 MOSFET器件結構的演變

1.5 小結

參考文獻

第2章器件結構小型化和演化進程

2.1 引言

2.2 尺寸和結構的縮放

2.2.1 縮放原則

2.2.2 器件結構的影響

2.2.3 無結型晶體管

2.3 光刻

2.3.1 增強分辨率

2.3.2 二次圖形化技術

2.3.3 極紫外光刻技術

2.3.4 掩模增強技術

2.4 電子束光刻

2.5 應變工程

......

第8 章先進互連技術及其可靠性

8.1 引言

8.2 銅互連集成

8.2.1 大馬士革工藝

8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化

8.2.3 新型銅互連集成方案

8.3 low-k 介質特徵和分類

8.3.1 low-k特性

8.3.2 low-k分類和表徵

8.3.3 low-k介質集成挑戰

8.3.4 氣隙在互連中的實現

8.4 銅與硅和介質的相互作用

8.4.1 銅與硅的相互作用

8.4.2 銅與介質的相互作用

8.5 金屬擴散阻擋層

8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇

8.5.2 金屬擴散阻擋層的沉積

8.6 銅金屬化的可靠性

8.6.1 電遷移基礎理論

8.6.2 應力致空洞化

8.7 先進金屬間介質的可靠性

8.7.1 金屬間介質的漏電機理

8.7.2 金屬間介質的擊穿特性

8.8 可靠性統計和失效模型

8.8.1 概率分佈函數

8.8.2 擊穿加速模型

8.9 未來的互連

8.10 小結

參考文獻

後記

原著致謝

[瑞典]Henry H.Radamson：歐洲科學院院士，中科院微電子研究所研究員，國家高層次人才專家。2011年和2018年兩次獲得瑞典先進IR技術創新獎；Springer-Nature 期刊編輯，Nanomaterials 客座編輯。

羅軍：中國科學院微電子研究所研究員，中國科學院大學崗位教授、博士生導師、集成電路先導工藝研發中心副主任，廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院FDSOI創新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主編，2019年入選中科院青促會優秀會員。

[比利時]Eddy Simoen：比利時歐洲微電子研發中心（IMEC）高級研究員，中科院微電子研究所客座教授，根特大學兼任教授。國際電化學學會會士，曾任EDS荷比盧分會主席和多個國際學術會議分會場主席和會議論文集主編。

趙超：中國國籍，（為作者之一，詳見譯者簡介。）