SOI

《SOI:納米技術時代的高端硅基材料》講述了：絕緣體上硅技術在高速、低壓低功耗電路、高壓電路、抗輻射、耐高温電路、微機械傳感器、光電集成等方面具有重要應用，是微電子和光電子領域發展的前沿，被國際上公認為“二十一世紀的硅集成電路技術”。

《SOI:納米技術時代的高端硅基材料》收集的納米技術時代的高端硅基SOI材料方面的研究論文40篇，主要內容包括：SOI——納米技術時代的高端硅基材料進展，SOI新材料的製備科學，SOI材料與器件特有的物理效應，絕緣體上鍺硅新結構和應變硅的製備科學，SOI技術的若干應用研究等。書中包含了高端硅基材料前沿領域的多方面創新研究成果。

《SOI:納米技術時代的高端硅基材料》可作為微電子、光電子、微機械、半導體材料、納米材料等專業的大專院校師生和專業技術人員重要的參考書，也可以作為信息領域其他專業的師生、科研人員和工程技術人員參考資料。

林成魯，1965年畢業於中國科技大學近代化學系，現為中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、博士生導師，上海新傲科技有限公司總工程師。長期從事高端硅基半導體新材料SOI(silicon on insulator)的研究。20世紀80年代，在國內率先開展SOI技術基礎研究；90年代，作為SOI創新項目總設計師，組織領導突破SOI材料工程化的關鍵技術；2001年開始，作為新傲公司總工程師，為成功實現SOI研究成果轉化，打破國外的技術封鎖，為建成國內唯一的SOI材料工業化生產線做出了重要貢獻，實現了我國微電子材料的跨越式發展，取得了重大的經濟和社會效益。先後承擔國家攻關、“973”、“863”等多項國家重大項目。在國內外刊物上發表論文300餘篇，被SCI收錄的論文240餘篇。申請的國家發明專利19項，其中已授權12項。前後已為國家培養數十名研究生，所培養的研究生中獲全國百篇優秀博士論文2名。曾獲得國家科技進步一等獎、中科院傑出科技成就獎等十一項獎勵。